produtos

Para casa > produtos > Modulos IGBT 62 mm > Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Categorias

IGBT discreto

(2)

Contactos

Contactos: Mr. Zhou

Telefone: 86-1360-528-8329

Contacte agora

Envie-nos

Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Name: Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
Brand: Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
SKU: SPS600B12G6
Rating: 4.6 (103 reviews)

Detalhes do produto

Número do modelo: SPS600B12G6

Termos de pagamento e envio

Obtenha o melhor preço

Detalhes do produto

Descrição do produto

Destacar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Módulos IGBT de meia ponte 62 mm, Módulo de meia ponte IGBT de 62 mm, Modulo de meia-ponte IGBT 600A
                              

Corrente de coletor:	100A	tensão do Coletor-emissor:	1200 V
Corrente:	100A	Carga da porta:	100nC
tensão do Porta-emissor:	± 20V	Voltagem de isolamento:	2500V
Temperatura máxima de funcionamento:	150°C	Estilo de montagem:	- Vai-te lixar.
Corrente de saída:	100A	Tipo de embalagem:	62 mm
Tempo de recuperação reversa:	100ns	Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	0.2°C/W	Voltagem:	1200 V

Corrente de coletor:	100A
tensão do Coletor-emissor:	1200 V
Corrente:	100A
Carga da porta:	100nC
tensão do Porta-emissor:	± 20V
Voltagem de isolamento:	2500V
Temperatura máxima de funcionamento:	150°C
Estilo de montagem:	- Vai-te lixar.
Corrente de saída:	100A
Tipo de embalagem:	62 mm
Tempo de recuperação reversa:	100ns
Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	0.2°C/W
Voltagem:	1200 V

Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Solid Power-DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

1200V 600A módulo de meia-ponte IGBT

Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 0

Características:

Tecnologia 1200V Trench+ Field Stop
Diodos de rotação livre com recuperação reversa rápida e suave
VCE (sat) com coeficiente de temperatura positivo
Baixas perdas de mudança
Resistência ao curto-circuito

Aplicações típicas:

Motor/servo-acionamento
Turbinas eólicas
Inversores fotovoltaicos
Conversores de armazenamento de energia
UPS

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al2O3
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		29.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		23.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		23.0			mm
	Desaparecido	terminal para terminal		11.0
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 400

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				20		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		TC=25°C		0.70		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M6			3.0		6.0	Nm
Torque de ligação do terminal	M6			2.5		5.0	Nm
Peso	G				320		g

IGBT

Valores nominais máximos / máximo额定值

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		Tvj=25°C	1200	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	tp≤10μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	IC		TC=25°C	700	A
Corrente contínua do colector de CC	IC		TC=80°C	550	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por Tjmax	ICimpulso			1200	A
Dissipação de energia	Ptot			2142	W

Valores característicos / 特征值

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
集电极-发射极?? 和电压 Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	IC=600A, VGE=15V	Tvj=25°C		2.00	2.40	V
			Tvj=125°C		2.40
			Tvj=150°C		2.50
Pressão elétrica de valor 极 Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	VCE=VGE, IC=24mA		5.5	6.3	7.0	V
集电极-发射极截止电流 Corrente de corte colector-emissor	ICES	VCE=1200V, VGE=0V	Tvj=25°C			100	μA
集电极-发射极截止电流 Corrente de corte colector-emissor	ICES	VCE=1200V, VGE=0V	Tvj=150°C			5	mA
极- 发射极漏电流 Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	VCE = 0V, VGE = ± 20V, Tvj = 25°C		- Duzentos.		200	nA
极电荷 Taxa de entrada	Quartel-General	VCE=600V, IC=600A, VGE=±15V			5.0		μC
Capacidade de entrada Capacidade de entrada	- Não.	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			80.0		nF
Capacidade de saída Capacidade de saída	Coes				2.85
Capacidade de transmissão inversa Capacidade de transferência reversa	Cres				1.48
内部极电阻 Resistência interna da porta	RGint	Tvj=25°C			2		Ó
开通延迟时间 (电感负载) 开通延迟时间 (电感负载) Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		340		n
			Tvj=125°C		376		n
			Tvj=150°C		384		n
Aumentar o tempo. Tempo de ascensão, carga indutiva	tr		Tvj=25°C		108		n
			Tvj=125°C		124		n
			Tvj=150°C		132		n
关断延迟时间 (Electrocarga) Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		616		n
			Tvj=125°C		676		n
			Tvj=150°C		682		n
O tempo de descarga. Tempo de queda, carga indutiva	Tf		Tvj=25°C		72		n
			Tvj=125°C		76		n
			Tvj=150°C		104		n
开通损耗能量 (每脉冲) 开通损耗能量 (每脉冲) Perda de energia de ligação por pulso	Eon	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		57.9		MJ
			Tvj=125°C		82.2		MJ
			Tvj=150°C		91.4		MJ
关断损耗能量 (每脉冲) Desligue Perda de energia por pulso	Eof		Tvj=25°C		45.2		MJ
			Tvj=125°C		55.3		MJ
			Tvj=150°C		58.7		MJ
短路数据 Dados do SC	CSI	VGE≤15V, VCC=800V	tp≤10 μs Tvj=150°C			2500	A
IGBT de ligação-exterior Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.07	K / W
temperatura de trabalho Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Diodo / 二极管

Valores nominais máximos / máximo额定值

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Pressão elétrica de pico inverso repetido Voltagem reversa repetitiva	VRRM		Tvj=25°C	1200	V
continua corrente elétrica direta Corrente contínua de corrente contínua	Se			600	A
Câmbio de corrente de 2D Corrente pulsada de diodo,tp limitada por TJmax	IFpulse			1200	A

Valores característicos / 特征值

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Pressão elétrica Voltagem para a frente	VF	IF=600A, VGE=0V	Tvj=25°C		1.65	2.00	V
			Tvj=125°C		1.80
			Tvj=150°C		1.80
Tempo de recuperação inverso Tempo de recuperação inverso	Trr	IF=600A dIF/dt=-4900A/μs (Tvj=150°C) VR=600V, VGE=-15V	Tvj=25°C		224		n
			Tvj=125°C		300
			Tvj=150°C		335
Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		Tvj=25°C		624		A
			Tvj=125°C		649
			Tvj=150°C		665
Carga de recuperação inversa Taxa de recuperação inversa	QRR		Tvj=25°C		95		μC
			Tvj=125°C		134.9
			Tvj=150°C		147.4
Perda de recuperação inversa (por pulso) Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		Tvj=25°C		35.4		MJ
			Tvj=125°C		49.7
			Tvj=150°C		55.9
2 ∆ ∆ Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.13	K / W
temperatura de trabalho Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 1

Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 2

Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 3

Tags:

Módulos IGBT 34 mm

Modulos IGBT 62 mm

Módulos IGBT EconoDual3

Módulos IGBT EasyPIM

Módulos IGBT EconoPack

Módulos IGBT EconoPIM

Modulos para automóveis

Discretos de SiC híbridos

Mosfet discreto

IGBT discreto

Modulos IGBT de meia ponte 62 mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Módulos IGBT de meia ponte 62 mm

Módulo de meia ponte IGBT de 62 mm

Modulo de meia-ponte IGBT 600A

1200V 600A módulo de meia-ponte IGBT

Pacote

Diodo / 二极管

Valores nominais máximos / máximo额定值

Módulo de potência IGBT,

Modulo IGBT de ponte H,

módulo do igbt do poder superior

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Modulos IGBT personalizados de 62 mm com baixas perdas de comutação DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

1200V 150A H Bridge IGBT Module DS-SPS150B12G6H4-S04020033 para máquina de solda

Módulo de alimentação do MOSFET Sic montado no chassi 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Modulos IGBT brancos Componente eletrônico de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1200V 300A SiC MOSFET Módulo de Meia Ponte Semicondutor DS-SPS300MB12G6S-S04310004

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0Modulo H Mosfet de ponte 1200V 450A ODM

Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

1200V 300A módulos IGBT 62mm DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0

Modulo de alimentação OEM IGBT 1200V 300A Modulo de meia ponte DS-SPS300B12G6M4-S04020025

1200V 300A IGBT Half Bridge Module Solid Power-DS-SPS300B12G6M4-S04020025 V-1.0

Módulos IGBT 34 mm

Modulos IGBT 62 mm

Módulos IGBT EconoDual3

Módulos IGBT EasyPIM

Módulos IGBT EconoPack

Módulos IGBT EconoPIM

Modulos para automóveis