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Modulos IGBT brancos Componente eletrônico de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Name: Modulos IGBT brancos Componente eletrônico de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
Brand: Modulos IGBT brancos Componente eletrônico de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
SKU: SPS300B17G6R8
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Classificação atual:	150A	corrente do escapamento do Porta-emissor:	±100nA
tensão do ponto inicial do Porta-emissor:	5V	Corrente de coletor máxima:	300A
Tensão máxima do Coletor-emissor:	1200 V	Temperatura de junção máxima:	150°C
Dissipação de poder máxima:	500 W	Estilo de montagem:	- Vai-te lixar.
Intervalo de temperatura de funcionamento:	-40°C a 125°C	Tipo de embalagem:	62 mm
Tipo de produto:	Módulo de semicondutores de potência	Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	0.1°C/W	Nomenclatura de tensão:	600 V

Classificação atual:	150A
corrente do escapamento do Porta-emissor:	±100nA
tensão do ponto inicial do Porta-emissor:	5V
Corrente de coletor máxima:	300A
Tensão máxima do Coletor-emissor:	1200 V
Temperatura de junção máxima:	150°C
Dissipação de poder máxima:	500 W
Estilo de montagem:	- Vai-te lixar.
Intervalo de temperatura de funcionamento:	-40°C a 125°C
Tipo de embalagem:	62 mm
Tipo de produto:	Módulo de semicondutores de potência
Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	0.1°C/W
Nomenclatura de tensão:	600 V

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Solid Power-DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1700 V 300A IGBT Metade. Ponte Modulo

Modulos IGBT brancos Componente eletrônico de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 0

Características:

D Tecnologia de frenagem de campo de 1700 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

Tipico Aplicações:

□ Motor/Servo

□ Conversores de alta potência

□ UPS

□ Energia fotovoltaica

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		29.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		23.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		23.0			mm
	Desaparecido	terminal para terminal		11.0
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 400

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				20		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M6			3.0		6.0	Nm
Torque de ligação do terminal	M6			2.5		5.0	Nm
Peso	G				320		g

Máximo de IGBT Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 25°C	500	A
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 100°C	300	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			600	A
Dissipação de energia	Ptot			1500	W

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C= 300A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.70	2.00	V
			T_vj= 125°C		1.95
			T_vj= 150°C		2.00
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C= 12mA		5.1	5.9	6.6	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 900 V, I_C= 300A, V_GE=±15V			1.6		μC
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			25.0		nF
Capacidade de saída	Coes				1.4
Capacidade de transferência reversa	Cres				0.4
Resistência interna da porta	RGint	T_vj= 25°C			3.5		Ó
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		185		n
			T_vj= 125°C		220		n
			T_vj= 150°C		230		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		76		n
			T_vj= 125°C		92		n
			T_vj= 150°C		96		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		550		n
			T_vj= 125°C		665		n
			T_vj= 150°C		695		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		390		n
			T_vj= 125°C		610		n
			T_vj= 150°C		675		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		44.7		MJ
			T_vj= 125°C		73.2		MJ
			T_vj= 150°C		84.6		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		68.5		MJ
			T_vj= 125°C		94.7		MJ
			T_vj= 150°C		102.9		MJ
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			950	A
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.10	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

Diodo máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F		T_C= 25°C	300	A
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F		T_C= 100°C	170
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			600

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 300A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.45	2.80	V
			T_vj= 125°C		2.65
			T_vj= 150°C		2.65
Tempo de recuperação inverso	trr	Eu..._F= 300A DI_F/dt=-4000A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900 V, V_GE= 15V	T_vj= 25°C		160		n
			T_vj= 125°C		230
			T_vj= 150°C		270
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		T_vj= 25°C		380		A
			T_vj= 125°C		400
			T_vj= 150°C		415
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		61		μC
			T_vj= 125°C		104
			T_vj= 150°C		123
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		29.7		MJ
			T_vj= 125°C		53.6
			T_vj= 150°C		63.4
Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.20	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE)

T_vj= 150°C

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IGBT

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 300A, V_CE= 900V

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IGBT RBSOA

Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 900 V V_GE= ±15V, R_Goff.= 3,3Ω, T_vj= 150°C

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Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 300A, V_CE= 900V

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IGBT

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perdas de comutação Diodo (típico)Perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 300A, V_CE= 900V R_G= 3,3Ω, V_CE= 900V

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Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura

Zth(j-c) = f (t)

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O "Módulo de Meia Ponte IGBT de 1700V 300A" integra dois Transistores Bipolares de Portão Isolado (IGBTs) em uma configuração de meia ponte.que oferece um controlo preciso da tensão (1700 V) e da corrente (300 A)O resfriamento eficaz é crucial e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.

Circuito Diagrama Título

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Pacote Esboços

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