Destacar:
Módulos IGBT 300A
, Modulos IGBT de 62 mm
, módulos de 1200V IGBT
Corrente de coletor: |
200A |
Tensão de saturação do Coletor-emissor: |
2.5V |
tensão do Coletor-emissor: |
1200 V |
Classificação atual: |
200A |
tensão do ponto inicial do Porta-emissor: |
5V |
tensão do Porta-emissor: |
20 V |
Capacidade entrada: |
1.5nF |
Tipo do módulo: |
IGBT |
Intervalo de temperatura de funcionamento: |
-40°C a 150°C |
Capacidade de saída: |
0.5nF |
Tipo de embalagem: |
62 mm |
Capacidade reversa de transferência: |
0.2nF |
Frequência de comutação: |
20 KHZ |
Nomenclatura de tensão: |
1200 V |
1200V 300A módulos IGBT 62mm DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção.0
1200 V 300A IGBT Metade. Ponte Modulo
- Geral Descrição
O módulo de alimentação SOLIDPOWER IGBT fornece baixas perdas de comutação, bem como alta capacidade RBSOA. Eles são projetados para aplicações como aquecimento indutivo, soldagem e comutação de alta frequência, etc..
Características:
- Tecnologia de parada de campo plano de 1200 V
- Diodos de rotação livre com recuperação reversa rápida e suave
- Baixas perdas de mudança
- Alta capacidade RBSOA
Tipico Aplicações:
- Aquecimento por indução
- Solução
- Aplicação de comutação de alta frequência
|
IGBT, Inversor / IGBT, inversor
Número máximo Valores nominais/ Máximo limite值
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Valor
|
Unidades
|
|
集电极-发射电极 pressão
Colector-emissortensão
|
VCES
|
Tvj= 25°C
|
1200
|
V
|
|
连续集电极直流电流
Contínuo DC coleçãoctor corrente
|
Eu...C
|
TC= 100°C, Tvj= 175°C
TC= 25°C, Tvj= 175°C
|
300
400
|
A
A
|
|
集电极重复 峰值电流
Pico RepeteAtividade corrente do colector
|
Eu...CRM
|
tp= 1 ms
|
600
|
A
|
|
Perda de potência total
Total potência DispersãoAção
|
P- Não.
|
TC= 25°C, Tvj= 150°C
|
1500
|
W
|
|
Pressão elétrica máxima
Portão máximoTensão do emissor eléctrico
|
VGES
|
|
±20
|
V
|
|
CaráterValores/ 特征值
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Minha. Tipo. Max. - O quê?
|
Unidades
|
|
集电极-发射极?? 和电压
Saturati colector-emissorem tensão
|
VCE(sentado)
|
Eu...C= 300 A, VGE=15V
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
2.10
|
2.50
2.90
3.00
|
3.00
|
V
V
V
|
|
Pressão elétrica de valor 极
Limite de entradatensão
|
VGE (th)
|
Eu...C= 12mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C
|
5.0 6.0 7.0
|
V
|
|
极电荷
Portão carga
|
QG
|
VGE=-15V... +15V
|
1.5
|
μC
|
|
内部 极电阻
Portão interno resistência
|
RGinto
|
Tvj= 25°C
|
2.5
|
Ó
|
|
Capacidade de entrada
Limites de entradaacitância
|
C- Não.
|
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V
|
12.8
|
nF
|
|
Capacidade de transmissão inversa
Transe inversaCapacidade de esfera
|
Cres
|
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V
|
0.62
|
nF
|
|
集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)
Colector-emissor limite cRenda
|
Eu...CES
|
VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C
|
5.00
|
mA
|
|
- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)
Emitente de porta vazamento corrente
|
Eu...GES
|
VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C
|
200
|
nA
|
|
开通延迟时间( eléctrico carga)
Ativar tempo de atraso, indutivo carga
|
td( em)
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
90
105
110
|
n
n
n
|
|
上升时间( eléctrico carga)
Hora de subir. indutivo carga
|
tr
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
64
66
70
|
n
n
n
|
|
关断延迟时间( eléctrico carga)
Desligação dtempo de execução, indutivo carga
|
td(desligado)
|
Eu...C= 300A, VCE= 600V
VGE=±15V
RGon= 2 Ó
RGoff.= 2 Ó
Indutivo Load,
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
285
310
330
|
n
n
n
|
|
O tempo de queda.( eléctrico carga)
Tempo de outono, indutivo carga
|
tf
|
55
65
65
|
n
n
n
|
|
开通 损耗能量(Cada pulso)
Ativar energia perdas por pu- O quê?
|
Eem
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
21.3
29.5
33.1
|
MJ
MJ
MJ
|
|
关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)
Energia de desligamento perdas por pulso
|
Edesligado
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
11.2
15.7
16.5
|
MJ
MJ
MJ
|
|
短路数据
SC dados
|
Eu...SC
|
VGE≤ 15V, VCC= 800V
VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C
|
1200
|
A
|
|
结-外 热阻
Termal resistência, juação Caso
|
RTJC
|
Per IGBT / Cada um. IGBT
|
0.10
|
K/W
|
|
temperatura de trabalho
Temperatura eMudança Condições
|
Tvjop
|
- 40
|
150
|
°C
|
|
Diodo, inversor/ 2o tubo, inversor
Número máximo Valores nominais/ máximo定值
|
|
Ponto
|
Símbolo CCondições
|
|
Valor
|
Unidades
|
|
Pressão elétrica de pico inverso repetido
Pico repetitivo Voltagem inversae
|
VRRM Tvj= 25°C
|
|
1200
|
V
|
|
continua corrente elétrica direta
Contínuo DC paracorrente da ala
|
Eu...F
|
|
300
|
A
|
|
Direcção recorrente
Pico corrente repetitiva para a frente
|
Eu...MFR tp= 1 ms
|
|
600
|
A
|
|
CaráterValores/ 特征值
|
|
Ponto
|
SímboloCondições
|
Minha.
|
Tipo. Max. - O quê?
|
Unidades
|
|
Pressão elétrica
Voltagem para a frente
|
VF Eu...F= 300A
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
2.30
2.50
2.50
|
2.70
|
V
V
V
|
|
Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso
Pico para trás recuperação cRenda
|
Eu...RM
Qr
ERec
|
Eu...F= 300A
- Não.F- Não.desligado= 4000 A/μs
VR = 600 V
VGE= 15V
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
182
196
199
|
A
A
A
|
|
Carga de recuperação inversa
Taxa de cobrança
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
23.5
35.5
35.5
|
μC
μC
μC
|
|
Perda de recuperação inversa (por pulso)
Para trás recuperação energia (por pulso)
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
7.3
12.7
14.6
|
MJ
MJ
MJ
|
|
结-外 热阻
Termal resistência, juação Caso
|
RTJC Por diodo Cada个二极管
|
|
0.23
|
K/W
|
|
temperatura de trabalho
Temperatura eMudança Condições
|
Tvjop
|
- 40
|
150
|
°C
|
|
Modulo/ 模块
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Valor
|
Unidades
|
|
绝缘 试电压
Isolamentotensão de ensaio
|
VISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
3.0
|
kV
|
|
模块基板材料
Material de módulo placa de base
|
|
|
Cu
|
|
|
内部绝缘
Interno isolamento
|
|
基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)
Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)
|
Al2O3
|
|
|
爬电距离
DesagradávelTâncio
|
|
端子-散热片/ terminal to aquecedores
端子-端子/terminal para terminal
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Autorização
|
|
端子-散热片/ terminal to aquecedores
端子-端子/terminal para terminal
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Índice de marcas eléctricas
Comparative rastreamento índice
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Minha.
|
Tipo.
|
Max. - O quê?
|
Unidades
|
|
杂散电感, módulo
Desviado indutividade módulo
|
LSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
模块引脚电阻, 端子- Chipset
Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa
|
RCC??+EE
RAA+CC??
|
|
|
0.7
|
|
mΩ
|
|
temperatura de armazenamento
Temperatura de armazenagemPeraturação
|
TSgt.
|
|
- 40
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭距
Torque de montagemque para módulo Instalação
|
M
|
M6
|
3.00
|
|
6.00
|
Nm
|
|
端子联接 torção distância
Conexão do terminaln torque
|
M
|
M6
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Peso
Peso
|
G
|
|
|
320
|
|
g
|
IGBT IGBT
Características de saída IGBT, inversor (típico) Características de saída IGBT, inversor (típico)
Eu...C=f (V)CE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Características de transferência IGBT, inversor (típico) Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)
Eu...C=f (V)GE) E=f (IC)
VCE= 20 V VGE=±15V, RGon=2 Ω, RGoff.=2 Ω, VCE= 600V
IGBT IGBT
Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Impedância térmica transitória IGBT, inversor
E=f (R)G) ZTJC= f (t)
VGE= ± 15 V, IC= 300A, VCE= 600V
IGBT, ((RBSOA)
Área de funcionamento segura de desvio inverso IGBT, inversor (RBSOA) Característica para a frente do diodo, inversor (típica)
Eu...C=f (V)CE) IF=f (V)F)
VGE=±15V, RGoff.=2 Ω, Tvj= 150°C
Perdas de comutação Diodo, inversor (típico) Perdas de comutação Diodo, inversor (típico)
Erec=f (I)F) Erec=f (RG)
RGon=2 Ω, VCE= 600 V IF= 300A, VCE= 600V
FRD
FRD de impedância térmica transitória, inversor
ZTJC= f (t)
O "Módulo de Meia Ponte IGBT 1200V 300A" integra dois IGBT em uma configuração de meia ponte para aplicações de alta potência, oferecendo controle preciso sobre a tensão (1200V) e a corrente (300A).O resfriamento eficaz é crucial, e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços
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