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200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Name: 200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005
Brand: 200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005
SKU: SPS200B12G6H4
Rating: 4.8 (146 reviews)

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Número do modelo: SPS200B12G6H4

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Corrente de coletor:	100A	Tensão de saturação do Coletor-emissor:	2.5V
tensão do Coletor-emissor:	±1200V	Classificação atual:	100A
corrente do escapamento do Porta-emissor:	± 10 μA	tensão do ponto inicial do Porta-emissor:	5V
tensão do Porta-emissor:	± 20V	Temperatura máxima de funcionamento:	150°C
Tipo do módulo:	IGBT	Tipo de embalagem:	62 mm
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs	Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	0.1°C/W	Nomenclatura de tensão:	1200 V

Corrente de coletor:	100A
Tensão de saturação do Coletor-emissor:	2.5V
tensão do Coletor-emissor:	±1200V
Classificação atual:	100A
corrente do escapamento do Porta-emissor:	± 10 μA
tensão do ponto inicial do Porta-emissor:	5V
tensão do Porta-emissor:	± 20V
Temperatura máxima de funcionamento:	150°C
Tipo do módulo:	IGBT
Tipo de embalagem:	62 mm
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs
Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	0.1°C/W
Nomenclatura de tensão:	1200 V

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

A partir de 1 de janeiro de 2016, a Comissão deve apresentar ao Parlamento Europeu e ao Conselho uma proposta de regulamento que estabeleça as regras de execução do presente regulamento.

1200 V 200A IGBT Metade. Ponte Modulo

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

Características:

Tecnologia de parada de campo plano de 1200 V
Diodos de rotação livre com recuperação reversa rápida e suave
Baixas perdas de mudança
Alta capacidade RBSOA

Tipico Aplicações:

Aquecimento por indução
Solução
Aplicação de comutação de alta frequência

IGBT, Inversor / IGBT, inversor

Número máximo Valores nominais/ máximo valor máximo

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

集电极-发射电极 pressão

Colector-emissortensão

VCES

Tvj= 25°C

1200

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

Eu...C

TC = 100°C, Tvj Max.= 175°C

TC = 25°C, Tvj Max.= 175°C

200

280

集电极重复峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

Eu...CRM

tp= 1 ms

400

Perda de potência total

Total potência DispersãoAção

P- Não.

TC= 25°C, Tvj= 175°C

1070

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

VGES

±20

Valores característicos/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo. Max. - O quê?

Unidades

集电极-发射极?? 和电压

Saturati colector-emissorem tensão

VCE(sentado)

Eu...C= 200 A, VGE=15V

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

1.50

2.40

2.95

3.00

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

VGE (th)

Eu...C= 8mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

5.0 6.0 7.0

极电荷

Portão carga

VGE=-15V... +15V

0.8

μC

内部极电阻

Portão interno resistência

RGinto

Tvj= 25°C

2.5

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

C- Não.

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

8.76

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

Cres

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

0.40

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor limite cRenda

Eu...CES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

5.00

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

Eu...GES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

200

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

td( em)

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

td(desligado)

Eu...C= 200A, VCE= 600V

VGE=±15V

RGon= 3,3 Ω

RGoff.= 3,3 Ω

Indutivo Lo.Anúncio

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

205

230

235

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

开通损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

Eem

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

16.7

26.4

28.2

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

Edesligado

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

4.9

8.8

9.6

短路数据

SC dados

Eu...SC

VGE≤ 15V, VCC= 800V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

800

结-外热阻

Termal resistência, juação Caso

RTJC

Per IGBT / Cada um. IGBT

0.14

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

- 40

150

°C

Diodo, inversor/ 2o tubo, inversor

Número máximo Valores nominais/ valor máximo

Ponto

Símbolo CCondições

Valor

Unidades

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

VRRM Tvj= 25°C

1200

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

Eu...F

200

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

Eu...MFR tp= 1 ms

400

Valores característicos/ 特征值

Ponto

SímboloCondições

Minha. Tipo.

Max. - O quê?

Unidades

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

VF Eu...F=200A

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

1.50

1.80

2.40

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

Pico para trás recuperação cRenda

Eu...RM

ERec

Eu...F=200A

-di/dt=3200A/μs VR = 600 V

VGE= 15V

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

140

Carga de recuperação inversa

Taxa de cobrança

14.5

22.528.0

μC

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

4.5

8.7 9.9

结-外热阻

Termal resistência, juação Caso

RTJC Por diodo Cada个二极管

0.23

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

- 40

150

°C

Modulo/ 模块

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

绝缘试电压

Isolamentotensão de ensaio

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

3.0

模块基板材料

Material de módulo placa de base

内部绝缘

Interno isolamento

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

Al2O3

爬电距离

DesagradávelTâncio

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

29.0

23.0

电气间隙

Autorização

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

23.0

11.0

Índice de marcas eléctricas

Comparative rastreamento índice

CTI

> 400

Ponto

Símbolo

Condições

Minha.

Tipo.

Max. - O quê?

Unidades

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

LSCE

模块引脚电阻, 端子- Chipset

Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa

RCC??+EE

RAA+CC??

0.7

mΩ

temperatura de armazenamento

Temperatura de armazenagemPeraturação

TSgt.

- 40

125

°C

模块安装的安装扭距

Torque de montagemque para módulo Instalação

3.00

6.00

端子联接 torção distância

Conexão do terminaln torque

2.50

5.00

Peso

320

IGBT IGBT

Características de saída IGBT, inversor (típico) Características de saída IGBT, inversor (típico)

Eu..._C=f (V)_CE) I_C=f(V_CE)

V_GE=15V Tvj=150°C

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

IGBT IGBT

Características de transferência IGBT, inversor (típico) Características de transferência IGBT, inversor (típico)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

VCE=20V VGE=±15V, RGon=3,3 Ω, RGoff=3,3 Ω, VCE=600V

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Impedância térmica transitória IGBT, inversor

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=± 15V, IC=200A, VCE=600V

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

IGBT

Área de funcionamento segura de desvio inverso IGBT, inversor (RBSOA) Característica para a frente do diodo, inversor (típica)

IC=f (VCE) IF=f (VF)

VGE=±15V, RGoff=3,3 Ω, Tvj=150°C

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

Perdas de comutação Diodo, inversor (típico) Perdas de comutação Diodo, inversor (típico)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RGon=3,3Ω, VCE=600V IF=200A, VCE=600V

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

FRD

FRD de impedância térmica transitória, inversor

ZthJC=f (t)

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

O "Módulo Half Bridge IGBT 1200V 200A" integra dois IGBT em uma configuração de meia ponte para aplicações que necessitam de controle sobre níveis de tensão e corrente moderados a altos.O resfriamento eficaz é crucial, e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.

Circuito Diagrama Título

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

Pacote Esboços

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10

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200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Módulo de meia-ponte IGBT 200A

Módulo de meia ponte 200A

Módulo de meia ponte IGBT de 62 mm

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módulo do igbt do poder superior