Modulo de alimentação OEM IGBT 1200V 300A Modulo de meia ponte DS-SPS300B12G6M4-S04020025
A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção de energia solar deve ser de 0,15% do consumo total de energia solar.
1200 V 300A IGBT Metade. Ponte Modulo
D Tecnologia de travagem de 1200 V
□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
□ VCE (sat)com coeficiente de temperatura positivo
□ Baixas perdas de mudança
□ Aquecimento por indução
□ Soldadura
□ Aplicações de comutação de alta frequência
Pacote
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Tensão de ensaio de isolamento
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
kV
|
|
Material da placa base do módulo
|
|
|
Cu
|
|
|
Isolamento interno
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)
|
Al2O3
|
|
|
Distância de arrasto
|
- Esquece. |
Terminal para o dissipador de calor |
29.0 |
mm
|
| - Esquece. |
terminal para terminal |
23.0 |
|
Autorização
|
Desaparecido |
Terminal para o dissipador de calor |
23.0 |
mm
|
| Desaparecido |
terminal para terminal |
11.0 |
|
Índice de acompanhamento comparativo
|
CTI |
|
> 400
|
|
| |
|
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Módulo de indutividade desviada
|
LsCE |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Temperatura de armazenamento
|
Tstg |
|
- 40
|
|
125
|
°C |
|
Torque de montagem para montagem de módulos
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
Torque de ligação do terminal
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
Peso
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem do colector-emissor
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Voltagem máxima do emissor da porta
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Voltagem transitória do portão-emissor
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Corrente contínua do colector de CC
|
Eu...C |
|
TC= 25°C |
400 |
A
|
| TC= 100°C |
300 |
|
Corrente pulsada do colector,tp limitada por Tjmax
|
ICimpulso |
|
600
|
A
|
|
Dissipação de energia
|
Ptot |
|
1500
|
W
|
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem de saturação do colector-emissor
|
VCE (sat) |
Eu...C= 300A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Tensão de limiar de entrada
|
VGE (th) |
VCE=VGEEu...C= 12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Corrente de corte colector-emissor
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Corrente de fuga do emissor da porta
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- Duzentos. |
|
200 |
nA |
|
Taxa de entrada
|
QG |
VCE= 600 V, IC= 300A, VGE=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
Capacidade de entrada
|
- Não. |
VCE= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
Capacidade de saída
|
Coes |
|
1.89 |
|
|
Capacidade de transferência reversa
|
Cres |
|
0.54 |
|
|
Resistência interna da porta
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
1.2 |
|
Ó |
|
Tempo de atraso de activação, carga indutiva
|
Td (em) |
VCC= 600 V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
130 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
145 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
145 |
|
n |
|
Tempo de ascensão, carga indutiva
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
60 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
68 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
68 |
|
n |
|
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva
|
td (desligado) |
VCC= 600 V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
504 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
544 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
544 |
|
n |
|
Tempo de queda, carga indutiva
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
244 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
365 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
370 |
|
n |
|
Perda de energia de ligação por pulso
|
Eon |
VCC= 600 V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
7.4 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
11.1 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
11.6 |
|
MJ |
|
Desligue Perda de energia por pulso
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
32.0 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
39.5 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
41.2 |
|
MJ |
|
Dados do SC
|
CSI |
VGE≤ 15V, VCC= 600V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
1350
|
A
|
|
Resistência térmica IGBT, caixa de junção
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
K / W |
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Diodo
Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem reversa repetitiva
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Corrente contínua de corrente contínua
|
Eu...F |
|
300
|
A
|
|
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por TJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem para a frente
|
VF |
Eu...F= 300A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Tempo de recuperação inverso
|
trr |
Eu...F= 300A
DIF/dt=-4900A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGE= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
90 |
|
n
|
| Tvj= 125°C |
120 |
| Tvj= 150°C |
126 |
|
Corrente de recuperação inversa máxima
|
IRRM |
Tvj= 25°C |
|
212 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
245 |
| Tvj= 150°C |
250 |
|
Taxa de recuperação inversa
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
19 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
27 |
| Tvj= 150°C |
35 |
|
Perda de energia de recuperação inversa por pulso
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
7.7 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
13.3 |
| Tvj= 150°C |
14.0 |
|
Diodo de resistência térmica, caixa de junção
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
K / W
|
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C |
Produção Característica (típica) Característica (típica)
Eu...C= f (V)CE) IC= f (V)CE)
Tvj= 150°C
IGBT
Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)
Eu...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20 V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600 V VGE= ±15V, RGoff.= 1,8Ω, Tvj= 150°C
Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE= 600V
IGBT
IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Perdas de comutação Diodo (típico)Perdas Diodo (típico)
ERec= f (RG) ERec= f (IF)
Eu...F= 300A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura
Zth(j-c) = f (t)
Um módulo de meia ponte IGBT é um dispositivo eletrônico de potência que combina dois transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) dispostos em uma configuração de meia ponte.Esta configuração é comumente usada em várias aplicações onde o controle bidirecional da potência é necessárioAqui estão alguns pontos-chave sobre módulos de meia-ponte IGBT:
1. IGBTs: IGBTs são dispositivos semicondutores que combinam as características de ambos os transistores de efeito de campo de porta isolada (IGFETs) e transistores de junção bipolar (BJTs).Eles são amplamente utilizados na eletrônica de potência para comutação e controle de energia elétrica.
2Configuração de meia ponte: a configuração de meia ponte consiste em dois IGBT conectados em série, formando um circuito de ponte.Um IGBT é responsável por conduzir durante o ciclo positivo da forma de onda de entradaEste arranjo permite o controlo bidirecional da corrente.
3. Nomes de tensão e corrente: os módulos de meia-ponte IGBT são especificados com nomes de tensão e corrente. Por exemplo, uma classificação comum pode ser 1200V/300A,Indicando a tensão e a corrente máximas que o módulo pode suportar.
4Aplicações: os módulos de meia-ponte IGBT encontram aplicações em acionamentos de motores, inversores, fontes de alimentação e outros sistemas que exigem comutação de energia controlada.São adequados para aplicações em que seja necessário controlo de velocidade variável ou inversão de potência.
5. Refrigeração e gestão térmica: Tal como acontece com os IGBT individuais, os módulos de meia ponte IGBT geram calor durante a operação.são cruciais para manter o desempenho e a confiabilidade adequados do dispositivo.
6. Circuitos de Acionamento de Portão: Um circuito de Acionamento de Portão adequado é essencial para controlar a comutação de IGBTs de forma eficaz.Isto inclui assegurar que os sinais da porta são adequadamente sincronizados e têm níveis de tensão suficientes.
7Ficha de dados: os utilizadores devem consultar a ficha de dados do fabricante para especificações pormenorizadas, características eléctricas,e orientações de aplicação específicas para o módulo de meia-ponte IGBT que estão a utilizar.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços
Dimensões em mm
mm
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