Módulo de alimentação do MOSFET Sic montado no chassi 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

MOSFET

Número máximo Valores nominais/ máximo valor máximo

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

漏极-源极 eléctrico

Tensão da fonte de drenagem

VDSS

Tvj=25°C

1200

V

continuação de vazão de corrente elétrica

Contínuo DC corrente de drenagem

Identificação

VGS=20V, TC= 25°C, TVjmax=175°C

VGS=20V, TC= 85°C, TVjmax=175°C

180

120

A

脉冲漏极 eléctrico

Descolagem pulsada corrente

Identificação pulso

Largura do pulso tplimitado porTvjmax

480

A

Perda de potência total

Total potência dispersão

Ptot

TC= 25°C,TVjmax=175°C

576

W

Pressão elétrica máxima

Voltagem máxima da fonte da porta

VGSS

-10/25

V

Valores característicos/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo. Max. - O quê?

Unidades

漏极-源极通态 resistência elétrica

Fonte de drenagem ligada resistência

RDS( em)

Identificação= 120A,VGS=20V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

13.0

16.0 18.0

16.0

mΩ

mΩ

mΩ

Pressão elétrica de valor 极

Tensão de limiar de entrada

VGS (th)

IC= 30 mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

IC= 30 mA, VCE=VGE, Tvj=150°C

2.0

2.4

1.7

4.0

V

跨导

Transcondutividade

gfs

VDS = 20 V, Eu...D.S. = 120 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, Eu...D.S. = 120 A, Tvj=150°C

68.9

61.8

S

极电荷

Portão carga

Quartel-General

VGE=-5V...+20V

474

nC

内部 极电阻

Portão interno resistência

RGint

Tvj=25°C

2.2

Ó

Capacidade de entrada

Capacidade de entrada

- Não.

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VAr condicionado= 25mV, VGE=0V

8850

pF

Capacidade de saída

Produção Capacidade

Coes

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VAr condicionado= 25mV, VGE=0V

564

pF

Capacidade de transmissão inversa

Capacidade de transferência inversa

Cres

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VAr condicionado= 25mV, VGE=0V

66

pF

零 电压漏极 电流

Voltagem da porta zero drenagem corrente

IDSS

VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

300

μA

- Não.-源极 漏电流

Portão-fonte corrente de fuga

IGSS

VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C

100

nA

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

Td( em)

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

10

8

8

n

n

n

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

tr

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

36

34

34

n

n

n

关断延迟时间( eléctrico carga)

Tempo de atraso de desligação, indutivo carga

Td(desligado)

Identificação= 120A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3,3Ω

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

128

140

140

n

n

n

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

Tf

RGoff=3,3Ω

Lσ = 56 nH

Indutivo Carga,

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

62

62

62

n

n

n

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pulso

Eon

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

2.35

2.15

2.15

MJ

MJ

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

Eof

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

1.65

1.80

1.80

MJ

MJ

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

RthJC

Per MOSFET / Cada um. MOSFET

0.23

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

-40 150

°C

Diodo/二极管

Número máximo Valores nominais/ valor máximo

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

continua corrente elétrica direta

Diodo contínuo para a frente corrente

Se

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

177

A

Valores característicos/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo. Max. - O quê?

Unidades

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

VSD

Se= 120A, VGS=0V

TVj= 25°C Tvj=150°C

1.45

1.90

1.80

V

V

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

RthJC

Por diodo Cada um

0.30

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

- 40 150

°C

Modulo/ 模块

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

绝缘 试电压

Tensão de ensaio de isolamento

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Material de módulo placa de base

Cu

内部绝缘

Interno isolamento

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

Al2O3

爬电距离

Distância de arrasto

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/ terminal para terminal

29.0

23.0

mm

电气间隙

Autorização

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/ terminal para terminal

23.0

11.0

mm

Índice de marcas eléctricas

Acompanhamento comparativo índice

CTI

> 400

Ponto

Símbolo

Condições

Minha.

Tipo.

Max. - O quê?

Unidades

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

LsCE

20

nH

módulo resistência elétrica do fio condutor,端子- Chipset

Modulo chumbo Resistência, terminais - chip

RCC+EE

TC=25°C

0.465

mΩ

temperatura de armazenamento

Temperatura de armazenamento

Tstg

- 40

125

°C

Torque de instalação do módulo

Torque de montagem para módulo Instalação

M5

2.50

5.00

Nm

端子联接 torque

Torque de ligação do terminal

M6

3.00

5.00

Nm

Peso

Peso

G

300

g