1200V 300A SiC MOSFET Módulo de Meia Ponte Semicondutor DS-SPS300MB12G6S-S04310004
A partir de 1 de janeiro de 2014, a taxa de produção de energia solar deve ser de 0,15% do consumo total de energia solar.
1200 V 300A SiC MOSFET Metade. Ponte Modulo
Características:
- Aplicação de comutação de alta frequência
- Cero corrente de recuperação inversa do diodo
- Corrente de cauda de desligamento zero do MOSFET
- Perda ultra-baixa
- Facilidade de fazer paralelos
Tipico Aplicações:
- Aquecimento por indução
- Inversores solares e eólicos
- Conversores DC/DC
- Carregadores de baterias
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MOSFET
Número máximo Valores nominais/ Máximo limite值
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Ponto
|
Símbolo
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Condições
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Valor
|
Unidades
|
|
漏极-源极 eléctrico
Tensão da fonte de drenagem
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VDSS
|
Tvj= 25°C
|
1200
|
V
|
|
continuação de vazão de corrente elétrica
Continuaçãos DC corrente de drenagem
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Eu...D
|
VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax= 175°C
VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax= 175°C
|
400
300
|
A
|
|
脉冲漏极 eléctrico
Descolagem pulsada corrente
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Eu...D pulso
|
Largura do pulso tplimitado porTvjmax
|
1200
|
A
|
|
Perda de potência total
Total potência DispersãoAção
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P- Não.
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TC= 25°C,Tvjmax= 175°C
|
1153
|
W
|
|
Pressão elétrica máxima
Portão máximo- Voltagem da fonte
|
VGSS
|
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-10/25
|
V
|
|
CaráterValores/ 特征值
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Minha. Tipo. Max. - O quê?
|
Unidades
|
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漏极-源极通态 resistência elétrica
Fonte de drenagem ligada resistência
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RD.S.( em)
|
Eu...D= 300 A, VGS=20V
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
4.0
5.4 6.0
|
5.6
|
mΩ
mΩ
mΩ
|
|
Pressão elétrica de valor 极
Limite de entradatensão
|
VGS (th)
|
Eu...C= 90 mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C
Eu...C= 90 mA, VCE=VGE, Tvj= 150°C
|
1.9
|
2.4
1.6
|
4.0
|
V
|
|
跨导
Transcondutividade
|
gfs
|
VD.S. = 20 V, Eu...D.S. = 300 A, Tvj= 25°C
VD.S. = 20 V, Eu...D.S. = 300 A, Tvj= 150°C
|
211
186
|
S
|
|
极电荷
Portão carga
|
QG
|
VGE=-5V... +20V
|
1170
|
nC
|
|
内部 极电阻
Portão interno resistência
|
RGinto
|
Tvj= 25°C
|
2.0
|
Ó
|
|
Capacidade de entrada
Limites de entradaacitância
|
C- Não.
|
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VAr condicionado= 25mV, VGE=0V
|
25.2
|
nF
|
|
Capacidade de saída
Produção Capacidade
|
C- Não
|
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VAr condicionado= 25mV, VGE=0V
|
1500
|
pF
|
|
Capacidade de transmissão inversa
Transe inversaCapacidade de esfera
|
Cres
|
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VAr condicionado= 25mV, VGE=0V
|
96
|
pF
|
|
零 电压漏极 电流
Portão zero vidade avançada drenagem corrente
|
Eu...DSS
|
VD.S.=1200V, VGS=0V, Tvj= 25°C
|
300
|
μA
|
|
- Não.-源极 漏电流
Portão-fonte Lecorrente de akage
|
Eu...GSS
|
VD.S.=0V, VGS=20V, Tvj= 25°C
|
100
|
nA
|
|
开通延迟时间( eléctrico carga)
Ativar tempo de atraso, indutivo carga
|
td( em)
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
76
66
66
|
n
n
n
|
|
上升时间( eléctrico carga)
Hora de subir. indutivo carga
|
tr
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
62
56
56
|
n
n
n
|
|
关断延迟时间( eléctrico carga)
Desligação dtempo de execução, indutivo carga
|
td(desligado)
|
Eu...D= 300A, VD.S.= 600V
VGS= 5/20V
RGon= 2,5Ω
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
308
342
342
|
n
n
n
|
|
O tempo de queda.( eléctrico carga)
Tempo de outono, indutivo carga
|
tf
|
RGoff.= 2,5Ω
Lσ = 56 nH
Indutivo Load,
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
94
92
92
|
n
n
n
|
|
开通 损耗能量(Cada pulso)
Ativar energia perdas por pu- O quê?
|
Eem
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
5.55
4.35
4.35
|
MJ
MJ
|
|
关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)
Energia de desligamento perdas por pulso
|
Edesligado
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
12.10
12.35
12.35
|
MJ
MJ
|
|
结-外 热阻
Termal resistência, juação Caso
|
RTJC
|
Per MOSFET / Cada um. MOSFE.T.
|
0.12
|
K/W
|
|
temperatura de trabalho
Temperatura eMudança Condições
|
Tvjop
|
|
- 40150
|
°C
|
|
Diodo/二极管
Número máximo Valores nominais/ máximo定值
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Valor
|
Unidades
|
|
continua corrente elétrica direta
Diodo contínuo paraParóquia corrente
|
Eu...F
|
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C
|
400
|
A
|
|
CaráterValores/ 特征值
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Minha. Tipo. Max. - O quê?
|
Unidades
|
|
Pressão elétrica
Voltagem para a frente
|
VS.D.
|
Eu...F= 300A, VGS=0V
|
Tvj= 25°C Tvj= 150°C
|
1.60
2.00
|
1.80
|
V
V
|
|
结-外 热阻
Termal resistência, juação Caso
|
RTJC
|
Por diodo/ Cada um
|
0.13
|
K/W
|
|
temperatura de trabalho
Temperatura eMudança Condições
|
Tvjop
|
|
- 40 150
|
°C
|
|
Modulo/ 模块
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Valor
|
Unidades
|
|
绝缘 试电压
Isolamentotensão de ensaio
|
VISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
2.5
|
kV
|
|
模块基板材料
Material de módulo placa de base
|
|
|
Cu
|
|
|
内部绝缘
Interno isolamento
|
|
基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)
Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)
|
Al2O3
|
|
|
爬电距离
DesagradávelTâncio
|
|
端子-散热片/ terminal to aquecedores
端子-端子/terminal para terminal
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Autorização
|
|
端子-散热片/ terminal to aquecedores
端子-端子/terminal para terminal
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Índice de marcas eléctricas
Acompanhamento comparativo índice
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Ponto
|
Símbolo
|
Condições
|
Minha.
|
Tipo.
|
Max. - O quê?
|
Unidades
|
|
杂散电感, módulo
Desviado indutividade módulo
|
LSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
módulo resistência elétrica do fio condutor,端子- Chipset
Modulo chumbo Resistência, terminais - chip
|
RCC+EE
|
TC= 25°C
|
|
0.465
|
|
mΩ
|
|
temperatura de armazenamento
Temperatura de armazenagemPeraturação
|
TSgt.
|
|
- 40
|
|
125
|
°C
|
|
Torque de instalação do módulo
Torque de montagemque para módulo Instalação
|
M5
|
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
端子联接 torque
Conexão do terminaln torque
|
M6
|
|
3.00
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Peso
Peso
|
G
|
|
|
300
|
|
g
|
MOSFET MOSFET
Característica de saída MOSFET (típica) Característica de saída MOSFET (típica)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Fonte de drenagem normalizada sobre a resistência (típica) Fonte de drenagem normalizada sobre a resistência (típica)
RDFilho.(P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(ID.S.)
Eu...D.S.= 120 A VGS= 20 V VGS=20V
Fonte de drenagem em resistência (típica) Tensão limite (típica)
RDFilho.=f(Tvj) VDS (th)=f(Tvj)
Eu...D.S.= 120 A VD.S.=VGSEu...D.S.= 30 mA
MOSFET
Característica de transferência MOSFET (típica) Característica de transferência do diodo (típica)
Eu...D.S.=f(VGS)Eu...D.S.=f(VD.S.)
VD.S.= 20 V Tvj= 25°C
Característica para a frente do diodo (característica típica) de 3RdQuadrante (típico)
Eu...D.S.=f(VD.S.) ID.S.=f(VD.S.)
Tvj= 150°C Tvj= 25°C
MOSFET
Característica de 3RdQuadrante (típico) MOSFET (típico)
Eu...D.S.=f(VD.S.) VGS= f (QG)
Tvj= 150°C VD.S.= 800 V, ID.S.= 120A, Tvj= 25°C
MOSFET MOSFET
Característica de capacidade MOSFET ((típica) Perdas de comutação MOSFET (típica)
C=f(VD.S.) E=f(IC)
VGS=0V, Tvj= 25°C, f=1MHz VGE= 5/20V, RG= 2,5 Ω, VCE= 600V
MOSFET MOSFET
Perdas de comutação MOSFET (típica) Impedância térmica transitória MOSFET
E=f (RG) ZTJC= f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Diodo de impedância térmica transitória
ZtHJC= f (t)
O "1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module" integra dois transistores de efeito de campo de óxido metálico de carburo de silício (SiC MOSFETs) em uma configuração de meia ponte.Para aplicações de alta potência, proporciona um controlo preciso da tensão (1200 V) e da corrente (300 A), com vantagens como a melhoria da eficiência e do desempenho em ambientes industriais.O resfriamento eficaz é crucial para uma operação confiável, e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços
mm
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