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Modulos IGBT personalizados de 62 mm com baixas perdas de comutação DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

Name: Modulos IGBT personalizados de 62 mm com baixas perdas de comutação DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0
Brand: Modulos IGBT personalizados de 62 mm com baixas perdas de comutação DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0
SKU: SPS200B17G6R8
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Número do modelo: SPS200B17G6R8

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Tensão de saturação do Coletor-emissor:	2.5V	Corrente:	100A
corrente do escapamento do Porta-emissor:	±100nA	tensão do ponto inicial do Porta-emissor:	5V
Voltagem de isolamento:	2500Vrms	Corrente de coletor máxima:	200A
Dissipação máxima da potência do colector:	500 W	Tensão máxima do Coletor-emissor:	1200 V
Temperatura de funcionamento:	-40°C a +150°C	Tipo de embalagem:	62 mm
Frequência de comutação:	20 KHZ	Intervalo de temperatura:	-40°C a +150°C
Resistência térmica:	0.1°C/W	Voltagem:	600 V

Tensão de saturação do Coletor-emissor:	2.5V
Corrente:	100A
corrente do escapamento do Porta-emissor:	±100nA
tensão do ponto inicial do Porta-emissor:	5V
Voltagem de isolamento:	2500Vrms
Corrente de coletor máxima:	200A
Dissipação máxima da potência do colector:	500 W
Tensão máxima do Coletor-emissor:	1200 V
Temperatura de funcionamento:	-40°C a +150°C
Tipo de embalagem:	62 mm
Frequência de comutação:	20 KHZ
Intervalo de temperatura:	-40°C a +150°C
Resistência térmica:	0.1°C/W
Voltagem:	600 V

Modulos IGBT personalizados de 62 mm com baixas perdas de comutação DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

- Solid Power-DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

1700 V 200A IGBT Metade. Ponte Modulo

Modulos IGBT personalizados de 62 mm com baixas perdas de comutação DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0 0

Características:

D Tecnologia de frenagem de campo de 1700 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

Tipico Aplicações:

□ Motor/Servo

□ Conversores de alta potência

□ UPS

□ Energia fotovoltaica

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		29.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		23.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		23.0			mm
	Desaparecido	terminal para terminal		11.0
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 400

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				20		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M6			3.0		6.0	Nm
Torque de ligação do terminal	M6			2.5		5.0	Nm
Peso	G				320		g

IGBT

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 25°C	360	A
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 100°C	200	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			400	A
Dissipação de energia	Ptot			1070	W

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C= 200A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C= 8mA		5.0	5.8	6.5	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 900 V, I_C= 200A, V_GE=±15V			1.2		μC
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			18.0		nF
Capacidade de saída	Coes				1.06
Capacidade de transferência reversa	Cres				0.28
Resistência interna da porta	RGint	T_vj= 25°C			4.5		Ó
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 900V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		188		n
			T_vj= 125°C		228		n
			T_vj= 150°C		232		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		56		n
			T_vj= 125°C		68		n
			T_vj= 150°C		72		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 900V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		200		n
			T_vj= 125°C		600		n
			T_vj= 150°C		620		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		470		n
			T_vj= 125°C		710		n
			T_vj= 150°C		745		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 900V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		33.2		MJ
			T_vj= 125°C		52.2		MJ
			T_vj= 150°C		59.9		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		49.1		MJ
			T_vj= 125°C		67.3		MJ
			T_vj= 150°C		70.5		MJ
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			720	A
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.14	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

Diodo

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F		T_C= 25°C	280	A
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F		T_C= 100°C	200
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			400

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 200A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Tempo de recuperação inverso	trr	Eu..._F=200A DI_F/dt=-3500A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900 V, V_GE= 15V	T_vj= 25°C		140		n
			T_vj= 125°C		220
			T_vj= 150°C		275
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		T_vj= 25°C		307		A
			T_vj= 125°C		317
			T_vj= 150°C		319
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		45		μC
			T_vj= 125°C		77
			T_vj= 150°C		89
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		20.4		MJ
			T_vj= 125°C		39.6
			T_vj= 150°C		45.2
Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.20	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE)

T_vj= 150°C

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IGBT

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 900V

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IGBT RBSOA

Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 900 V V_GE= ±15V, R_Goff.= 3,3Ω, T_vj= 150°C

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Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 200A, V_CE= 900V

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IGBT

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perdas de comutação Diodo (típico)Perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 200A, V_CE= 900V R_G= 3,3Ω, V_CE= 900V

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Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura

Zth(j-c) = f (t)

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O "Módulo de Meia Ponte IGBT 1700V 200A" integra dois IGBT numa configuração de meia ponte.que oferece um controlo preciso da tensão (1700 V) e da corrente (200 A)O resfriamento eficaz é crucial para uma operação fiável e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.

Circuito Diagrama Título

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Pacote Esboços

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Modulos IGBT com baixas perdas de comutação

Número máximo Classificados Valores

Número máximo Classificados Valores

Módulo de potência IGBT,

Modulo IGBT de ponte H,

módulo do igbt do poder superior

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005