Detalhes do produto
Número do modelo: SPS450B12G6H4
Termos de pagamento e envio
Corrente de coletor: |
100A |
Tensão de saturação do Coletor-emissor: |
1.8V |
tensão do Coletor-emissor: |
±1200V |
Corrente: |
100A |
Carga da porta: |
150 nC |
tensão do ponto inicial do Porta-emissor: |
4V |
tensão do Porta-emissor: |
± 20V |
Capacidade entrada: |
1.5nF |
Capacidade de saída: |
0.5nF |
Potência: |
1500 W |
Tempo de recuperação reversa: |
100ns |
Frequência de comutação: |
20 KHZ |
Resistência térmica: |
0.1°C/W |
Voltagem: |
1200 V |
Corrente de coletor: |
100A |
Tensão de saturação do Coletor-emissor: |
1.8V |
tensão do Coletor-emissor: |
±1200V |
Corrente: |
100A |
Carga da porta: |
150 nC |
tensão do ponto inicial do Porta-emissor: |
4V |
tensão do Porta-emissor: |
± 20V |
Capacidade entrada: |
1.5nF |
Capacidade de saída: |
0.5nF |
Potência: |
1500 W |
Tempo de recuperação reversa: |
100ns |
Frequência de comutação: |
20 KHZ |
Resistência térmica: |
0.1°C/W |
Voltagem: |
1200 V |
Solid Power-DS-SPS450B12G6H4-S04020010 V2.0
Características:
Tipico Aplicações:
IGBT, Inversor / IGBT, inversor
Número máximo Valores nominais/ Máximo limite值 |
|||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor |
Unidades |
|||
集电极-发射电极 pressão Colector-emissortensão |
VCES |
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|||
连续集电极直流电流 Contínuo DC coleçãoctor corrente |
Eu...C |
TC = 80°C, Tvj Max.= 175°C TC = 25°C, Tvj Max.= 175°C |
450
550 |
A |
|||
集电极重复 峰值电流 Pico RepeteAtividade corrente do colector |
Eu...CRM |
tp= 1 ms |
900 |
A |
|||
Perda de potência total Total potência DispersãoAção |
P- Não. |
TC= 25°C, Tvj= 175°C |
2142 |
W |
|||
Pressão elétrica máxima Portão máximoTensão do emissor eléctrico |
VGES |
±20 |
V |
||||
A temperatura máxima Junção máximan temperatura |
Tvj,max |
175 |
°C |
||||
CaráterValores/ 特征值 |
|||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Minha. Tipo Max.. |
Unidades |
|||
集电极-发射极?? 和电压 Saturati colector-emissorem tensão |
VCE(sentado) |
Eu...C= 450 A, VGE=15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
2.10 |
2.50 2.90 3.00 |
3.00 |
V |
Pressão elétrica de valor 极 Limite de entradatensão |
VGE (th) |
Eu...C= 18mA, VCE=VGE,Tvj= 25°C |
5.0 6.07.0 |
V |
|||
极电荷 Portão carga |
QG |
VGE=-15V...+15V, Tvj= 25°C |
3.3 |
uC |
|||
内部 极电阻 Portão interno resistência |
RGinto |
Tvj= 25°C |
1.7 |
Ó |
|||
Capacidade de entrada Limites de entradaacitância |
C- Não. |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V |
19.2 |
nF |
|||
Capacidade de transmissão inversa Transe inversaCapacidade de esfera |
Cres |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V |
0.93 |
nF |
|||
集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão) Colector-emissor limite cRenda |
Eu...CES |
VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C |
5.00 |
mA |
|||
- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga) Emitente de porta vazamento corrente |
Eu...GES |
VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C |
500 |
nA |
|||
开通延迟时间( eléctrico carga) Ativar tempo de atraso, indutivo carga |
td( em) |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
95 105
110 |
n n n |
|||
上升时间( eléctrico carga) Hora de subir. indutivo carga |
tr |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
70 80
80 |
n n n |
|||
关断延迟时间( eléctrico carga) Desligação dtempo de execução, indutivo carga |
td(desligado) |
Eu...C= 450 A, VCE= 600V VGE=±15V RGon= 1Ω RGoff.= 1Ω
Indutivo Load, |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C
Tvj= 150°C |
325 375
390 |
n n n |
||
O tempo de queda.( eléctrico carga) Tempo de outono, indutivo carga |
tf |
60 60
60 |
n n n |
||||
开通 损耗能量(Cada pulso) Ativar energia perdas por pu- O quê? |
Eem |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
22.2 39.6 42.9 |
MJ MJ MJ |
|||
关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso) Energia de desligamento perdas por pulso |
Edesligado |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
22.4 29.5 31.0 |
MJ MJ MJ |
|||
结-外 热阻 Termal resistência, juação Caso |
RTJC |
Per IGBT / Cada um. IGBT |
0.07 |
K/W |
temperatura de trabalho Temperatura eMudança Condições |
Tvjop |
- 40 |
150 |
°C |
||
Diodo, inversor/ 2o tubo, inversor Número máximo Valores nominais/ máximo定值 |
||||||
Ponto |
SímboloCondições |
Valor |
Unidades |
|||
Pressão elétrica de pico inverso repetido Pico repetitivo Voltagem inversae |
VRRM Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|||
continua corrente elétrica direta Contínuo DC paracorrente da ala |
Eu...F |
450 |
A |
|||
Direcção recorrente Pico corrente repetitiva para a frente |
Eu...MFR tp= 1 ms |
900 |
A |
|||
CaráterValores/ 特征值 |
||||||
Ponto |
Símbolo Condições |
Minha. Tipo. |
Max. - O quê? |
Unidades |
||
Pressão elétrica Voltagem para a frente |
VF Eu...F= 450A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
2.30 2.50 2.50 |
2.70 |
V |
|
Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso
Pico para trás recuperação cRenda |
Eu...rm
QRR
ERec |
Eu...F= 450A - Não.F- Não.desligado= 5300 A/μs VR = 600 V
VGE= 15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
270 285
295 |
A |
|
Carga de recuperação inversa Para trás recuperação charge |
29.6 64.1 74.3 |
μC |
||||
Perda de recuperação inversa (por pulso) Para trás recuperação energia (por pulso) |
11.4 22.0 25.7 |
MJ |
||||
结-外 热阻 Termal resistência, juação Caso |
RTJC Por diodo Cada个二极管 |
0.16 |
K/W |
|||
temperatura de trabalho Temperatura eMudança Condições |
Tvjop |
- 40 |
150 |
°C |
Modulo/ 模块 |
||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor |
Unidade s |
绝缘 试电压 Isolamentotensão de ensaio |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
3.0 |
kV |
模块基板材料 Material de módulo placa de base |
Cu |
|||
内部绝缘 Interno isolamento |
基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140) Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Cree distância da página |
端子-散热片/ terminal para hcomer a pia 端子-端子/terminal para terminal |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Autorização |
端子-散热片/ terminal para hcomer a pia 端子-端子/terminal para terminal |
23.0 11.0 |
mm |
|
Índice de marcas eléctricas Acompanhamento comparativo índice |
CTI |
> 400 |
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
Unidades |
杂散电感, módulo Desviado indutividade módulo |
LSCE |
20 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子- Chipset
Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa |
RCC??+EE RAA+CC |
0.70 |
mΩ |
|||
temperatura de armazenamento
Temperatura de armazenagemPeraturação |
TSgt. |
- 40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torque de montagemque para módulo Instalação |
M |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
|
模块安装的安装扭距 Torque de montagemque para módulo Instalação |
M |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Peso
Peso |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
Características de saída IGBT, inversor (típico) Características de saída IGBT, inversor (típico)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Características de transferência IGBT, inversor (típico) Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=1Ω, VCE=600V
IGBT IGBT
Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Impedância térmica transitória IGBT, inversor
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V, IC=450A, VCE=600V
IGBT, RBSOA
Área de funcionamento segura de desvio inverso IGBT, inversor (RBSOA) Característica para a frente do diodo, inversor (típica)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
VGE=±15V, RGoff=10Ω, Tvj=150°C
Perdas de comutação Diodo, inversor (típico) Perdas de comutação Diodo, inversor (típico)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=3,3 Ω, VCE=600V IF=450A, VCE=600V
Diodo de impedância térmica transitória, inversor
ZthJC=f (t)
O "1200V 450A IGBT Half Bridge Module" é um módulo de potência com dois Transistores Bipolares de Portão Isolado (IGBTs) em uma configuração de meia ponte.É projetado para aplicações de alta potência como motores industriais ou inversores.O sistema de refrigeração eficaz é crucial para um desempenho fiável e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços