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Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

Detalhes do produto

Número do modelo: SPS450B12G6H4

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Módulos IGBT de alta potência 62 mm

,

Módulos IGBT 450A

,

Modulo IGBT de alta potência de 62 mm

Corrente de coletor:
100A
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1.8V
tensão do Coletor-emissor:
±1200V
Corrente:
100A
Carga da porta:
150 nC
tensão do ponto inicial do Porta-emissor:
4V
tensão do Porta-emissor:
± 20V
Capacidade entrada:
1.5nF
Capacidade de saída:
0.5nF
Potência:
1500 W
Tempo de recuperação reversa:
100ns
Frequência de comutação:
20 KHZ
Resistência térmica:
0.1°C/W
Voltagem:
1200 V
Corrente de coletor:
100A
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1.8V
tensão do Coletor-emissor:
±1200V
Corrente:
100A
Carga da porta:
150 nC
tensão do ponto inicial do Porta-emissor:
4V
tensão do Porta-emissor:
± 20V
Capacidade entrada:
1.5nF
Capacidade de saída:
0.5nF
Potência:
1500 W
Tempo de recuperação reversa:
100ns
Frequência de comutação:
20 KHZ
Resistência térmica:
0.1°C/W
Voltagem:
1200 V
Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

Solid Power-DS-SPS450B12G6H4-S04020010 V2.0

1200 V 450A IGBT Metade. Ponte Modulo

Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 0

 

Características:

  • Tecnologia de parada de campo plano de 1200 V
  • Diodos de rotação livre com recuperação reversa rápida e suave
  • Baixas perdas de mudança
  • Alta capacidade RBSOA

 

Tipico Aplicações:

  • Aquecimento por indução
  • Solução
  • Aplicação de comutação de alta frequência

Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 1

 

IGBT, Inversor / IGBT, inversor

 

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

集电极-发射电极 pressão

Colector-emissortensão

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

 

Eu...C

 

TC = 80°C, Tvj Max.= 175°C

TC = 25°C, Tvj Max.= 175°C

 

450

 

550

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

 

Eu...CRM

 

tp= 1 ms

 

900

 

A

 

Perda de potência total

Total potência DispersãoAção

 

 

P- Não.

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

 

2142

 

 

W

 

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

 

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

A temperatura máxima

Junção máximan temperatura

 

Tvj,max

 

 

175

 

°C

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo Max..

 

Unidades

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati colector-emissorem tensão

 

VCE(sentado)

 

Eu...C= 450 A, VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.10

 

2.50

2.90

3.00

 

3.00

 

V

 

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

 

VGE (th)

 

Eu...C= 18mA, VCE=VGE,Tvj= 25°C

 

5.0 6.07.0

 

V

 

极电荷

Portão carga

 

 

QG

 

 

VGE=-15V...+15V, Tvj= 25°C

 

3.3

 

uC

 

内部 极电阻

Portão interno resistência

 

RGinto

 

Tvj= 25°C

 

1.7

 

Ó

 

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

 

 

C- Não.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

19.2

 

nF

 

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

0.93

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor limite cRenda

 

Eu...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

 

5.00

 

mA

 

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

 

Eu...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

 

td( em)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

95

105

 

110

 

n

n

n

 

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

 

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

70

80

 

80

 

n

n

n

 

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

 

 

td(desligado)

 

Eu...C= 450 A, VCE= 600V

VGE=±15V

RGon= 1Ω

RGoff.= 1Ω

 

Indutivo Load,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C

 

Tvj= 150°C

 

325

375

 

390

 

n

n

n

 

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

 

 

tf

 

60

60

 

60

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

 

Eem

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

22.2

39.6

42.9

 

MJ

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

 

Edesligado

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

22.4

29.5

31.0

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Per IGBT / Cada um. IGBT

 

0.07

 

K/W

 

 

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

 

Tvjop

 

- 40

 

150

 

°C

 

Diodo, inversor/ 2o tubo, inversor

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

 

Ponto

 

SímboloCondições

 

Valor

 

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

VRRM Tvj= 25°C

 

1200

 

 

V

 

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

 

Eu...F

 

450

 

 

A

 

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

 

Eu...MFR tp= 1 ms

 

900

 

 

A

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo Condições

 

Minha. Tipo.

 

Max. - O quê?

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

VF Eu...F= 450A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.30

2.50 2.50

 

2.70

 

V

 

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

 

Pico para trás recuperação cRenda

 

Eu...rm

 

 

QRR

 

 

 

ERec

 

 

Eu...F= 450A

- Não.F- Não.desligado= 5300 A/μs VR = 600 V

 

VGE= 15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

270

285

 

295

 

 

A

 

Carga de recuperação inversa

Para trás recuperação charge

 

29.6

64.1 74.3

 

 

μC

 

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

 

11.4

22.0 25.7

 

 

MJ

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC Por diodo Cada个二极管

 

0.16

 

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40

 

 

150

 

 

°C

 

 

 

Modulo/

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidade

s

 

绝缘 试电压

Isolamentotensão de ensaio

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

 

3.0

 

kV

 

模块基板材料

Material de módulo placa de base

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Cree distância da página

 

 

端子-散热片/ terminal para hcomer a pia

端子-端子/terminal para terminal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorização

 

 

端子-散热片/ terminal para hcomer a pia

端子-端子/terminal para terminal

 

23.0

11.0

 

 

mm

 

Índice de marcas eléctricas

Acompanhamento comparativo índice

 

CTI

 

 

> 400

 

 

 

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha.

 

Tipo.

 

Max. - O quê?

 

Unidades

 

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- Chipset

 

Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa

 

RCC??+EE

RAA+CC

   

 

 

0.70

 

 

 

 

temperatura de armazenamento

 

Temperatura de armazenagemPeraturação

 

TSgt.

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torque de montagemque para módulo Instalação

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

模块安装的安装扭距

Torque de montagemque para módulo Instalação

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

320

 

 

g

 
IGBT IGBT
Características de saída IGBT, inversor (típico) Características de saída IGBT, inversor (típico)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
 
Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 2
 
 
IGBT IGBT
Características de transferência IGBT, inversor (típico) Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=1Ω, VCE=600V
 
  Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 3

 

IGBT IGBT
Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Impedância térmica transitória IGBT, inversor
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V, IC=450A, VCE=600V

 

  Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 4

Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 5

IGBT, RBSOA
Área de funcionamento segura de desvio inverso IGBT, inversor (RBSOA) Característica para a frente do diodo, inversor (típica)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
VGE=±15V, RGoff=10Ω, Tvj=150°C
 
 Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 6Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 7

 

Perdas de comutação Diodo, inversor (típico) Perdas de comutação Diodo, inversor (típico)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=3,3 Ω, VCE=600V IF=450A, VCE=600V

Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 8
    Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 9
 
 
Diodo de impedância térmica transitória, inversor
ZthJC=f (t)
Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 10                     
 
O "1200V 450A IGBT Half Bridge Module" é um módulo de potência com dois Transistores Bipolares de Portão Isolado (IGBTs) em uma configuração de meia ponte.É projetado para aplicações de alta potência como motores industriais ou inversores.O sistema de refrigeração eficaz é crucial para um desempenho fiável e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.

 

Circuito Diagrama Título 
 
 
Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 11
 
 
 
 
 

Pacote Esboços

 

 

Modulos IGBT de alta potência 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 12