DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0Modulo H Mosfet de ponte 1200V 450A ODM
Solid Power-DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0.
1200 V 450A IGBT Metade. Ponte Modulo
Características:
D Tecnologia de travagem de 1200 V
□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
□ VCE (sat)com coeficiente de temperatura positivo
□ Baixas perdas de mudança
□ Circuito curto e resistência
□ Aquecimento por indução
□ Soldadura
□ Aplicações de comutação de alta frequência
Pacote IGBT
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Tensão de ensaio de isolamento
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
kV |
|
Material da placa base do módulo
|
|
|
Cu |
|
|
Isolamento interno
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)
|
Al2O3 |
|
|
Distância de arrasto
|
- Esquece. |
Terminal para o dissipador de calor |
29.0 |
mm |
| - Esquece. |
terminal para terminal |
23.0 |
|
Autorização
|
Desaparecido |
Terminal para o dissipador de calor |
23.0 |
mm |
| Desaparecido |
terminal para terminal |
11.0 |
|
Índice de acompanhamento comparativo
|
CTI |
|
> 400 |
|
| |
|
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Módulo de indutividade desviada
|
LsCE |
|
|
20 |
|
nH |
|
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Temperatura de armazenamento
|
Tstg |
|
- 40 |
|
125 |
°C |
|
Torque de montagem para montagem de módulos
|
M5 |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
Torque de ligação do terminal
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
Peso
|
G |
|
|
320 |
|
g |
Máximo de IGBT Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem do colector-emissor
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Voltagem máxima do emissor da porta
|
VGES |
|
± 20 |
V |
|
Voltagem transitória do portão-emissor
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Corrente contínua do colector de CC
|
Eu...C |
|
TC= 25°C |
675 |
A |
| TC= 100°C |
450 |
|
Corrente pulsada do colector,tp limitada por Tjmax
|
ICimpulso |
|
900 |
A |
|
Dissipação de energia
|
Ptot |
|
1875 |
W |
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem de saturação do colector-emissor
|
VCE (sat) |
Eu...C= 450 A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Tensão de limiar de entrada
|
VGE (th) |
VCE=VGEEu...C= 18mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Corrente de corte colector-emissor
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Corrente de fuga do emissor da porta
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- Duzentos. |
|
200 |
nA |
|
Taxa de entrada
|
QG |
VCE= 600 V, IC= 450 A, VGE=±15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
Capacidade de entrada
|
- Não. |
VCE= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
nF
|
|
Capacidade de saída
|
Coes |
|
2.84 |
|
|
Capacidade de transferência reversa
|
Cres |
|
0.81 |
|
|
Tempo de atraso de activação, carga indutiva
|
Td (em) |
VCC= 600 V,IC= 450 A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
168 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
172 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
176 |
|
n |
|
Tempo de ascensão, carga indutiva
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
80 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
88 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
92 |
|
n |
|
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva
|
td (desligado) |
VCC= 600 V,IC= 450 A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
624 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
668 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
672 |
|
n |
|
Tempo de queda, carga indutiva
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
348 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
356 |
|
n |
|
Perda de energia de ligação por pulso
|
Eon |
VCC= 600 V,IC= 450 A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
17.2 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
27.1 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
30.0 |
|
MJ |
|
Desligue Perda de energia por pulso
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
52.3 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
64.3 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
67.1 |
|
MJ |
|
Dados do SC
|
CSI |
VGE≤ 15V, VCC= 800V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
2000 |
A |
|
Resistência térmica IGBT, caixa de junção
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
K / W |
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Diodo Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem reversa repetitiva
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Corrente contínua de corrente contínua
|
Eu...F |
|
450 |
A
|
|
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por TJmax
|
IFpulse |
|
900 |
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem para a frente
|
VF |
Eu...F= 450 A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Tempo de recuperação inverso
|
trr |
Eu...F= 450A
DIF/dt=-5600A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGE= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
134 |
|
n
|
| Tvj= 125°C |
216 |
| Tvj= 150°C |
227 |
|
Corrente de recuperação inversa máxima
|
IRRM |
Tvj= 25°C |
|
317 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
376 |
| Tvj= 150°C |
379 |
|
Taxa de recuperação inversa
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
40.5 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
63.2 |
| Tvj= 150°C |
65.4 |
|
Perda de energia de recuperação inversa por pulso
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
15.9 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
27.0 |
| Tvj= 150°C |
28.1 |
|
Diodo de resistência térmica, caixa de junção
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
K / W |
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Produção Característica (típica) Característica (típica)
Eu...C= f (V)CE) IC= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT
Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)
Eu...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20 V VGE= ±15V, IC= 450 A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600 V VGE= ±15V, R- O quê?= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor Portão de tensão carga(típico)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 450 A, VCE= 600V
IGBT
IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Mudança perdas Diodo (típico) Comutação perdas Diodo (típico)
ERec= f (RG) ERec= f (IF)
Eu...F= 450 A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulsolargura
Zth(j-c) = f (t)
Um IGBT de 1200 V (Transistor Bipolar de Portão Isolado) é um dispositivo semicondutor com uma tensão nominal de 1200 volts.Este tipo de dispositivo é comumente usado em aplicações de alta tensão, como inversores de potência e acionamentos de motores.
Pontos chave:
1. Voltagem nominal (1200V): Indica a tensão máxima que o IGBT pode suportar. Adequado para aplicações que requerem controlo de alta tensão,de potência superior a 50 W, mas não superior a 150 W,.
2Aplicações: os IGBT de 1200 V são comuns em campos de alta potência, como acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), sistemas de energia renovável, etc.,quando for necessário um controlo preciso da alta tensão.
3. Velocidade de comutação: os IGBTs podem ligar e desligar rapidamente, tornando-os adequados para aplicações que exigem comutação de alta frequência.Características específicas de comutação dependem do modelo e do fabricante.
4. Requisitos de arrefecimento:** Como muitos dispositivos eletrônicos de potência, os IGBT geram calor durante o funcionamento.são frequentemente necessários para garantir o desempenho e a fiabilidade do dispositivo.
5Ficha de dados:Para obter informações pormenorizadas sobre um IGBT específico de 1200 V, é essencial consultar a ficha de dados do fabricante.Características elétricas, e orientações para aplicação e gestão térmica.
Ao utilizar um IGBT de 1200 V num circuito ou sistema, os projetistas devem considerar fatores tais como os requisitos de accionamento do portão, mecanismos de protecção,e considerações térmicas para garantir uma operação correta e fiável.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços
Dimensões em mm
mm
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