DS-SPS200AR12G3-S04010010 Módulo IGBT de travagem de chopper 1200V 200A

IGBT/ IGBT

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite值

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

集电极-发射电极 pressão

Colecionador...tensão do emissor

VCES

Tvj= 25°C

1200

V

连续集电极直流电流

Contínuo Receptor de corrente contínua corrente

Eu...C

200

A

集电极重复 峰值电流

Pico colector repetitivo corrente

Eu...CRM

tp= 1 ms

400

A

Perda de potência total

Total potência dissIPAção

P- Não.

TC= 25°C, Tvj= 175°C

830

W

Pressão elétrica máxima

Voltagem máxima do emissor da porta

VGES

±20

V

A temperatura máxima

Máximo jtemperatura de unção

Tvj,Max.

175

°C

Valores característicos/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo, mãex.

Unidades

集电极-发射极?? 和电压

Emissão do colectorVoltagem de saturação

VCE(sentado)

Eu...C= 200A,VGE=15V Tvj= 25°C

1.80 2.25

V

Pressão elétrica de valor 极

Tensão de limiar de entrada

VGE (th)

Eu...C= 6.7mA,VCE=VGE, Tvj= 25°C

5.0 5.8 6.8

V

极电荷

Portão carga

QG

VGE=-15V...+15V, Tvj= 25°C

1.27

uC

内部 极电阻

Portão interno resígrande

RGinto

Tvj= 25°C

6.5

Ó

Capacidade de entrada

Capacidade de entrada

C- Não.

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

19.5

nF

Capacidade de transmissão inversa

Capacidade de transferência inversa

Cres

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

0.46

nF

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Emitido pelo colectorTer corrente de corte

Eu...CES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

1.00

mA

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta corrente de fuga

Eu...GES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

500

nA

短路数据

SC dados

Eu...SC

VGE ≤± 15 V, tp ≤10 us, VCC= 600 V, Tvj= 150°CVCE, Max.=VCES-Ls.CE x Di/dt

600

A

结-外 热阻

Termal resistência, junção com a caixa

RTJC

Per IGBT / Cada um. IGBT

0.18

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura em Mudança condiçãoem

Tvjop

- 40150

°C

Reverso Diodo/ 逆二极管

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Reverso vo- O que é?

VRRM

Tvj= 25°C

1200

V

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC para a frente corrente

Eu...F

75

A

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

Eu...MFR

tp= 1 ms

150

A

Valores característicos/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo Max.

Unidades

Pressão elétrica

Voltagem para a frentee

VF

Eu...F= 70A

Tvj= 25°C

Tvj= 150°C

1.90

1.90

2.20

V

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

Pico para trás recov- Não. corrente

Eu...rm

Eu...F= 70A

Tvj= 25°C

Tvj= 150°C

45

60

A

Carga de recuperação inversa

Para trás RecuperaçãoRY carga

QRR

- Não.F- Não.desligado=1200A/μs

VR = 600 V

Tvj= 25°C

Tvj= 150°C

4

8

μC

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás Recuperação de energia (per pulso)

ERec

VGE= 15V

Tvj= 25°C

Tvj= 150°C

1.2

2.5

MJ

结-外 热阻

Termal resistência, junção com a caixa

RTJC

Por diodo Cada um

0.6

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura em Mudança condiçãoem

Tvjop

- 40 150

°C

Modulo/ 模块

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidade

s

绝缘 试电压

Tensão de ensaio de isolamento

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Materiais de módulo placa de base

Cu

内部绝缘

Interno isolamentoAção

基本绝缘(classe 1, IEC 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI61140)

Al2O3

爬电距离

Cree distância da página

端子-散热片/terminal para Frigorífico

端子-端子/ terminaçãoL para terminal.

17

20

mm

电气间隙

Autorização

端子-散热片/terminal para Frigorífico

端子-端子/ terminaçãoL para terminal.

17

9.5

mm

Índice de marcas eléctricas

Acompanhamento comparativo índice

CTI

> 200

Ponto

Símbolo

Condições

Minha.

Tipo.

Max. - O quê?

Unidades

杂散电感, módulo

Indutância de desvio módulo

LSCE

30

nH

模块引脚电阻,端子- Chipset

Modulo Plomo Resistênciae ,Chips de terminais

RCC - Não.+EE

RAA- Não.+CC

0.65

mΩ

temperatura de armazenamento

Temperatura de armazenamento

TSgt.

- 40

125

°C

模块安装的安装扭距

Torque de montagem para módulo montadon

M

M6

3.00

5.00

Nm

模块安装的安装扭距

Torque de montagem para módulo montadon

M

M5

2.50

5.00

Nm

Peso

Peso

G

155

g