OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Forças sólidas-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

1200 V 100A IGBT Metade. Ponte Modulo

1200 V 100A IGBT 

Características:

D Tecnologia de travagem de 1200 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

TipicoAplicações: 

□ Soldadura

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

                                                                                                                   IGBT

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 30A, V_CE= 600V

IGBT RBSOA

 Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 10Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_{- O quê?}= 10Ω, T_vj= 150°C

Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor Portão de tensão carga(típico)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 600V

IGBT

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

   Mudança perdas Diodo (típico) Comutação perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 30A, V_CE= 600V R_G= 10Ω, V_CE= 600V

Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulsolargura

Zth(j-c) = f (t)