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Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Name: Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
Brand: Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
SKU: SPS150B12G3M4
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Número do modelo: SPS150B12G3M4

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                                                Módulo IGBT de alta potência 34 mm, Modulo IGBT de alta potência de 150A, Módulo IGBT de 150 A 34 mm
                              

Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

- Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

1200 V 150A IGBT Metade. Ponte Modulo

1200 V 150A IGBT

Características:

D Tecnologia de travagem de 1200 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

Tipico Aplicações:

□ Motor/Servo

□ Conversores de alta potência

□ UPS

□ Energia fotovoltaica

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		17.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		20.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		17.0			mm
	Desaparecido	terminal para terminal		9.5
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 200

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				20		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M6			3.0		5.0	Nm
Torque de ligação do terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Peso	G				160		g

IGBT

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 25°C	200	A
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 100°C	150	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			300	A
Dissipação de energia	Ptot			600	W

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C= 150A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.50	1.80	V
			T_vj= 125°C		1.65
			T_vj= 150°C		1.70
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C= 6mA		5.0	5.8	6.5	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 600 V, I_C= 150A, V_GE=±15V			1.8		μC
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			30.0		nF
Capacidade de saída	Coes				0.95
Capacidade de transferência reversa	Cres				0.27
Resistência interna da porta	RGint	T_vj= 25°C			2		Ó
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 600 V,I_C=150A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		128		n
			T_vj= 125°C		140		n
			T_vj= 150°C		140		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		48		n
			T_vj= 125°C		52		n
			T_vj= 150°C		52		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 600 V,I_C=150A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		396		n
			T_vj= 125°C		448		n
			T_vj= 150°C		460		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		284		n
			T_vj= 125°C		396		n
			T_vj= 150°C		424		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 600 V,I_C=150A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		4.9		MJ
			T_vj= 125°C		7.6		MJ
			T_vj= 150°C		8.3		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		16.1		MJ
			T_vj= 125°C		21.7		MJ
			T_vj= 150°C		22.5		MJ
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			650	A
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.25	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Diodo

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F			150	A
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			300	A

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 150A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.30	2.70	V
			T_vj= 125°C		2.50
			T_vj= 150°C		2.50
Tempo de recuperação inverso	trr	Eu..._F= 150A DI_F/dt=-3300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600 V, V_GE= 15V	T_vj= 25°C		94		n
			T_vj= 125°C		117
			T_vj= 150°C		129
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		T_vj= 25°C		151		A
			T_vj= 125°C		166
			T_vj= 150°C		170
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		15.6		μC
			T_vj= 125°C		23.3
			T_vj= 150°C		24.9
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		6.7		MJ
			T_vj= 125°C		10.9
			T_vj= 150°C		11.9
Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.46	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

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IGBT

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 150A, V_CE= 600V

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IGBT RBSOA

Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_{- O quê?}= 5.1Ω, T_vj= 150°C

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Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 150A, V_CE= 600V

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IGBT para a frente Característica de Diodo (típico)

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso larguraEu..._F= f (V)_F)

Zth(j-c) = f (t)

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Perdas de comutação Diodo (típico)Perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 150A, V_CE= 600V R_G= 3,3Ω, V_CE= 600V

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Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura

Zth(j-c) = f (t)

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O "Módulo Half Bridge IGBT de 1200V 150A" integra dois IGBT numa configuração de half-bridge.que oferece um controlo preciso da tensão (1200 V) e da corrente (150 A)O resfriamento eficaz é essencial para uma operação fiável e as especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.

Circuito Diagrama Título

Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

Pacote Esboços

Dimensões em mm

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Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

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