Detalhes do produto
Número do modelo: SPS150B17G3
Termos de pagamento e envio
Corrente de coletor: |
200A |
tensão do Coletor-emissor: |
±1200V |
Corrente: |
200A |
Carga da porta: |
100nC |
tensão do Porta-emissor: |
± 20V |
Tamanho do módulo: |
34 mm |
Tipo do módulo: |
IGBT |
Estilo de montagem: |
- Vai-te lixar. |
Intervalo de temperatura de funcionamento: |
-40°C a +150°C |
Tipo de embalagem: |
Modulo |
Dispersão do Poder: |
500 W |
Frequência de comutação: |
20 KHZ |
Resistência térmica: |
0.1°C/W |
Voltagem: |
1200 V |
Corrente de coletor: |
200A |
tensão do Coletor-emissor: |
±1200V |
Corrente: |
200A |
Carga da porta: |
100nC |
tensão do Porta-emissor: |
± 20V |
Tamanho do módulo: |
34 mm |
Tipo do módulo: |
IGBT |
Estilo de montagem: |
- Vai-te lixar. |
Intervalo de temperatura de funcionamento: |
-40°C a +150°C |
Tipo de embalagem: |
Modulo |
Dispersão do Poder: |
500 W |
Frequência de comutação: |
20 KHZ |
Resistência térmica: |
0.1°C/W |
Voltagem: |
1200 V |
A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia.
1200 V 75A IGBT Metade. Ponte Modulo
IGBT, Inversor Número máximo Valores nominais |
||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor |
Unidades |
||
集电极-发射电极 pressão Voltagem colector-emissor |
VCES |
Tvj=25°C |
1700 |
V |
||
连续集电极直流电流 Contínuo DC corrente do colector |
IC |
150 |
A |
|||
集电极重复 峰值电流 Pico RepeteAtividade corrente do colector |
ICRM |
tp=1ms |
300 |
A |
||
Perda de potência total Total potência dispersão |
Ptot |
TC= 25°C, Tvj=175°C |
880 |
W |
||
Pressão elétrica máxima Voltagem máxima do emissor da porta |
VGES |
± 20 |
V |
|||
A temperatura máxima Temperatura máxima de junção |
TVJ, máximo. |
175 |
°C |
|||
Valores característicos/ 特征值 |
||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Min. Tipo. Max. |
Unidades |
||
集电极-发射极?? 和电压 Voltagem de saturação do colector-emissor |
VCE(sentado) |
IC= 150 A, VGE=15V |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
1.67 1.90 1.96 |
1.90 |
V V V |
Pressão elétrica de valor 极 Tensão de limiar de entrada |
VGE (th) |
IC= 17 mA, VCE=VGE, Tvj=25°C |
5.0 6.0 6.8 |
V |
||
极电荷 Portão carga |
Quartel-General |
VGE=-15V...+15V |
0.86 |
uC |
||
内部 极电阻 Portão interno resistência |
RGint |
Tvj=25°C |
7.2 |
Ó |
||
Capacidade de entrada Capacidade de entrada |
- Não. |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V |
12.6 |
nF |
||
Capacidade de transmissão inversa Capacidade de transferência inversa |
Cres |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V |
0.20 |
nF |
||
集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão) Colector-emissor corrente de corte |
ICES |
VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C |
3.00 |
mA |
||
- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga) Emitente de porta vazamento corrente |
IGES |
VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C |
400 |
nA |
||
开通延迟时间( eléctrico carga) Ativar tempo de atraso, indutivo carga |
Td(em) |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
326 339
345 |
n n n |
||
上升时间( eléctrico carga) Hora de subir. indutivo carga |
tr |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
106 118
126 |
n n n |
||
关断延迟时间( eléctrico carga) Tempo de atraso de desligação, indutivo carga |
Td(desligado) |
IC= 150A, VCE=900V VGE = ± 15V RGon=5Ω RGoff=5Ω
Indutivo Carga, |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj=125°C
Tvj=150°C |
165 189
213 |
n n n |
|
O tempo de queda.( eléctrico carga) Tempo de outono, indutivo carga |
Tf |
757 924
950 |
n n n |
|||
开通 损耗能量(Cada pulso) Ativar energia perdas por pulso |
Eon |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
47.1 58.9 63.7 |
MJ MJ |
||
关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso) Energia de desligamento perdas por pulso |
Eof |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
31.2 39.9 42.5 |
MJ MJ |
||
短路数据 SC dados |
CSI |
VGE≤ 15V, VCC=1000V VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj=150°C |
600 |
A |
结-外 热阻 Termal Resistência, jUnção a Caso |
RTJC |
Per IGBT / Cada um.IGBT |
0.17 |
K/W |
||
temperatura de trabalho Temperatura eMudança Condições |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
|||
Diodo, inversor/ 二极管, inversor de câmbio Número máximo Valores nominais/ valor máximo |
||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor |
Unidades |
||
Pressão elétrica de pico inverso repetido Pico repetitivo Voltagem inversae |
VRRM |
Tvj= 25°C |
1700 |
V |
||
continua corrente elétrica direta Contínuo DC paracorrente da ala |
Eu...F |
150 |
A |
|||
Direcção recorrente Pico corrente repetitiva para a frente |
Eu...MFR |
tp= 1 ms |
300 |
A |
||
Valores característicos/ 特征值 |
||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Minha. Tipo. Max. - O quê? |
Unidades |
||
Pressão elétrica Voltagem para a frente |
VF |
Eu...F= 150A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
1.92 2.112.09 |
2.30 |
V V V |
Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso
Pico para trás recuperação cRenda |
Eu...RM |
Eu...F= 150A - Não.F- Não.desligado=2000A/μs VR = 900 V
VGE= 15V |
Tvj= 25°C98 Tvj= 125°C 119
Tvj= 150°C 119 |
A A A |
||
恢复电荷 Taxa de cobrança |
Qr |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
21.4 36.7 42.0 |
uC uC uC |
||
Perda de recuperação inversa (por pulso) Para trás recuperação energia (por pulce) |
ERec |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
10.6 19.5 21.9 |
MJ MJ MJ |
||
结-外 热阻 Termal Resistência, jUnção a Caso |
RTJC |
Por diodo/ Cada um |
0.30 |
K/W |
||
temperatura de trabalho Temperatura eMudança Condições |
Tvjop |
- 40 150 |
°C |
Modulo/ 模块 |
||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor |
Unidades |
绝缘 试电压 Isolamentotensão de ensaio |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
4.0 |
kV |
模块基板材料 Material de módulo placa de base |
Cu |
|||
内部绝缘 Interno isolamento |
基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140) Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Cree distância da página |
端子-散热片/ terminal para hcomer a pia 端子-端子/terminal para terminal |
17.0 20.0 |
mm |
|
电气间隙 Autorização |
端子-散热片/ terminal para hcomer a pia 端子-端子/terminal para terminal |
17.0 9.5 |
mm |
|
Índice de marcas eléctricas Acompanhamento comparativo índice |
CTI |
> 200 |
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
Unidades |
杂散电感, módulo Desviado indutividade módulo |
LSCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻,端子- Chipset
Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa |
RCC??+EE RAA+CC |
0.65 |
mΩ |
|||
temperatura de armazenamento
Temperatura de armazenagemPeraturação |
TSgt. |
- 40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torque de montagemUE para módulo Instalação |
M |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
模块安装的安装扭距 Torque de montagemUE para módulo Instalação |
M |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Peso Peso |
G |
160 |
g |