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Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V

Detalhes do produto

Número do modelo: SPS150B17G3

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Módulo de meia ponte IGBT

,

Módulo de meia-ponte IGBT de 1200 V

,

75A Módulo de Meia Ponte

Corrente de coletor:
200A
tensão do Coletor-emissor:
±1200V
Corrente:
200A
Carga da porta:
100nC
tensão do Porta-emissor:
± 20V
Tamanho do módulo:
34 mm
Tipo do módulo:
IGBT
Estilo de montagem:
- Vai-te lixar.
Intervalo de temperatura de funcionamento:
-40°C a +150°C
Tipo de embalagem:
Modulo
Dispersão do Poder:
500 W
Frequência de comutação:
20 KHZ
Resistência térmica:
0.1°C/W
Voltagem:
1200 V
Corrente de coletor:
200A
tensão do Coletor-emissor:
±1200V
Corrente:
200A
Carga da porta:
100nC
tensão do Porta-emissor:
± 20V
Tamanho do módulo:
34 mm
Tipo do módulo:
IGBT
Estilo de montagem:
- Vai-te lixar.
Intervalo de temperatura de funcionamento:
-40°C a +150°C
Tipo de embalagem:
Modulo
Dispersão do Poder:
500 W
Frequência de comutação:
20 KHZ
Resistência térmica:
0.1°C/W
Voltagem:
1200 V
Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V

A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia para a produção de energia.

 

1200 V 75A IGBT Metade. Ponte Modulo

 

Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V 0

 

Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V 1

 

Características:
 Estrutura de travessia de 1700 V e parada de campo
 Alta capacidade de curto-circuito
 Baixa perda de comutação
 Alta fiabilidade
 Coeficiente de temperatura positivo

 

Aplicações típicas:
 Acionamento a motor
 Servocondutores
 Inversores e fontes de alimentação
 Energia fotovoltaica

 

IGBT, Inversor

Número máximo Valores nominais

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

集电极-发射电极 pressão

Voltagem colector-emissor

 

VCES

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Contínuo DC corrente do colector

 

IC

 

 

150

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

 

ICRM

 

tp=1ms

 

300

 

A

 

Perda de potência total

Total potência dispersão

 

Ptot

 

TC= 25°C, Tvj=175°C

 

880

 

W

 

Pressão elétrica máxima

Voltagem máxima do emissor da porta

 

VGES

 

 

± 20

 

V

 

A temperatura máxima

Temperatura máxima de junção

 

TVJ, máximo.

 

 

175

 

°C

 

 

Valores característicos/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Min. Tipo. Max.

 

Unidades

 

集电极-发射极?? 和电压

Voltagem de saturação do colector-emissor

 

VCE(sentado)

 

IC= 150 A, VGE=15V

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

1.67

1.90 1.96

 

1.90

 

V

V

V

 

Pressão elétrica de valor 极

Tensão de limiar de entrada

 

VGE (th)

 

IC= 17 mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

 

5.0 6.0 6.8

 

V

 

极电荷

Portão carga

 

Quartel-General

 

VGE=-15V...+15V

 

 

0.86

 

 

uC

 

内部 极电阻

Portão interno resistência

 

 

RGint

 

 

Tvj=25°C

 

 

7.2

 

Ó

 

Capacidade de entrada

Capacidade de entrada

 

- Não.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

12.6

 

nF

 

Capacidade de transmissão inversa

Capacidade de transferência inversa

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.20

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor corrente de corte

 

ICES

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

 

3.00

 

mA

 

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

 

IGES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

 

400

 

nA

 

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

 

Td(em)

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

326

339

 

345

 

n

n

n

 

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

 

 

tr

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

106

118

 

126

 

n

n

n

 

关断延迟时间( eléctrico carga)

Tempo de atraso de desligação, indutivo carga

 

 

Td(desligado)

 

IC= 150A, VCE=900V

VGE = ± 15V

RGon=5Ω

RGoff=5Ω

 

Indutivo Carga,

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj=125°C

 

Tvj=150°C

 

165

189

 

213

 

n

n

n

 

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

 

 

Tf

 

757

924

 

950

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pulso

 

Eon

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

47.1

58.9

63.7

 

 

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

 

Eof

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

31.2

39.9

42.5

 

 

MJ

MJ

 

短路数据

SC dados

 

 

CSI

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj=150°C

 

600

 

A

 

 

 

结-外 热阻

Termal Resistência, jUnção a Caso

 

RTJC

 

Per IGBT / Cada um.IGBT

 

0.17

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diodo, inversor/ 二极管, inversor de câmbio

Número máximo Valores nominais/ valor máximo

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

 

Eu...F

 

 

150

 

A

 

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

 

Eu...MFR

 

tp= 1 ms

 

300

 

A

 

 

Valores característicos/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo. Max. - O quê?

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

VF

 

 

Eu...F= 150A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.92

2.112.09

 

2.30

 

V

V

V

 

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

 

Pico para trás recuperação cRenda

 

 

Eu...RM

 

 

 

Eu...F= 150A

- Não.F- Não.desligado=2000A/μs

VR = 900 V

 

VGE= 15V

 

Tvj= 25°C98

Tvj= 125°C 119

 

Tvj= 150°C 119

 

A

A

A

 

恢复电荷

Taxa de cobrança

 

 

Qr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

21.4

36.7

42.0

 

uC

uC

uC

 

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulce)

 

ERec

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

10.6

19.5

21.9

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Termal Resistência, jUnção a Caso

 

RTJC

 

Por diodo/ Cada um

 

0.30

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

 

Modulo/ 模块

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

绝缘 试电压

Isolamentotensão de ensaio

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Material de módulo placa de base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Cree distância da página

 

 

端子-散热片/ terminal para hcomer a pia

端子-端子/terminal para terminal

 

17.0

20.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorização

 

 

端子-散热片/ terminal para hcomer a pia

端子-端子/terminal para terminal

 

17.0

9.5

 

 

mm

 

Índice de marcas eléctricas

Acompanhamento comparativo índice

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

 

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha.

 

Tipo.

 

Max. - O quê?

 

Unidades

 

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

 

LSCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻,端子- Chipset

 

Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa

 

RCC??+EE

RAA+CC

   

 

0.65

 

 

 

temperatura de armazenamento

 

Temperatura de armazenagemPeraturação

 

TSgt.

 

 

 

- 40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torque de montagemUE para módulo Instalação

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

模块安装的安装扭距

Torque de montagemUE para módulo Instalação

 

M

 

M5

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

Peso

 

G

   

 

160

 

 

g

 

Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V 2

Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V 3

Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V 4