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Modulo IGBT de ponte de 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Detalhes do produto

Número do modelo: SPS75B17G3

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Módulo IGBT de ponte 75A H

,

Modulo IGBT de ponte de 1700 V H

,

Módulo IGBT de 1700 V

Modulo IGBT de ponte de 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

1700 V 75A IGBT Metade. Ponte Modulo

Modulo IGBT de ponte de 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Características:

  • Estrutura de travessia de 1700V e paragem de campo
  • Alta capacidade de curto-circuito
  • Baixa perda de comutação
  • Alta confiabilidade
  • Coeficiente de temperatura positiva

 

 

Tipico Aplicações:

  • Motores de tração
  • Servo-acionamento
  • Inversores e fontes de alimentação
  • Energia fotovoltaica

 

IGBT, inversor / IGBT, inversor

Valores nominais máximos / máximo额定值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

集电极-发射电极 pressão

Emissão de colectorr tensão

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

 

Eu...C nome

 

 

75

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

 

Eu...CRM

 

tp= 1 ms

 

150

 

A

 

Perda de potência total

Total potência DispersãoAção

 

P- Não.

 

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

A temperatura máxima

Junção máximan temperatura

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Min. Tipo. Max.

 

Unidades

 

集电极-发射极?? 和电压

Colector-emissor stensão de aturação

 

VCE(sentado)

 

Eu...C= 75,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

 

VGE (th)

 

Eu...C=3mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

极电荷

Portão carga

 

 

QG

 

VGE=-15V... +15V

 

0.47

 

uC

 

内部 极电阻

Portão interno resistência

 

RGinto

 

Tvj= 25°C

 

10.8

 

Ó

 

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

 

 

C- Não.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

5.03

 

nF

 

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor corte-oFF corrente

 

Eu...CES

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

 

Eu...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

 

 

td(em)

 

 

 

 

 

 

 

Eu...C= 75A, VCE=900 V

VGE=±15V

RGon= 6,6Ω

RGoff.= 6,6Ω

 

Indutivo Load,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

174

184

 

188

 

n

n

n

 

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

 

tr

 

80

83

 

81

 

n

n

n

 

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

 

td(desligado)

 

319

380

 

401

 

n

n

n

 

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

 

tf

 

310

562

 

596

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

 

 

Eem

 

24.7

27.6

28.4

 

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

 

Edesligado

 

10.9

16.1

17.5

 

MJ

MJ

 

短路数据

SC dados

 

Eu...SC

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

240

 

A

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

 

RTJC

 

 

Per IGBT / Cada um.IGBT

 

 

0.28 K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40 150 °C

 

Diodo, inversor/ 二极管, inversor de câmbio

Número máximo Valores nominais/ valor máximo

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

 

VRRM

 

 

Tvj= 25°C

 

1700 V

 

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

 

 

Eu...F

 

 

75 A

 

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

 

Eu...MFR

 

 

tp= 1 ms

 

150 A

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipos, unidades máximas

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

 

VF

 

Eu...F= 75A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

 

Pico para trás recuperação cRenda

 

Eu...RM

 

 

Eu...F= 75A

- Não.F- Não.desligado=1100A/μs

VR = 900 V

 

VGE= 15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

85

101

 

108

 

A

A

A

 

恢复电荷

Taxa de cobrança

 

Qr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

 

ERec

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Por diodo/ Cada um

 

0.48 K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

 

Tvjop

 

 

 

- 40 150 °C

 

 

Módulo / 模块

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidade

s

 

绝缘 试电压

Isolamentotensão de ensaio

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Material de módulo placa de base

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

DesagradávelTâncio

 

 

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

Autorização

 

 

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

 

17

9.5

 

 

mm

 

Índice de marcas eléctricas

Acompanhamento comparativo índice

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha.

 

Tipo.

 

Max. - O quê?

 

Unidades

 

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

 

LSCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 (também conhecido como 模块引脚电阻)- Chipset

 

Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

temperatura de armazenamento

 

Temperatura de armazenagemPeraturação

 

TSgt.

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torque de montagemque para módulo Instalação

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接 torção distância

Conexão do terminaln torque

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Características de saída IGBT, inversor (típico) Características de saída IGBT, inversor (típico)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE=15V Tvj=150°C

 

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IGBT IGBT

Características de transferência IGBT, inversor (típico) Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V

 

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IGBT IGBT

Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

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IGBT IGBT

Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Impedância térmica transitória IGBT, inversor

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V

 

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IGBT, RBSOA

Área de funcionamento segura de desvio inverso IGBT, inversor (RBSOA) Característica para a frente do diodo, inversor (típica)

Eu...C= f(VCE)Eu...F= f(VF)

VGE=±15V, RGoff.= 6,6Ω, Tvj = 150°C

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Perdas de comutação Diodo, inversor (típico) Perdas de comutação Diodo, inversor (típico)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RG=6,6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V

 

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Diodo de impedância térmica transitória, inversor

ZthJC=f (t)

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Um "IGBT de 1700 V" é um Transistor Bipolar de Portão Isolado capaz de lidar com uma tensão máxima de 1700 volts.de potência superior a 1000 W, mas não superior a 1000 WOs sistemas de refrigeração adequados e os circuitos de acionamento de portões são essenciais para um desempenho ideal.

 

 

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Circuito Diagrama Título 

 

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Pacote Esboços 

 

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