Detalhes do produto
Número do modelo: SPS75B17G3
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Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.
1700 V 75A IGBT Metade. Ponte Modulo
Características:
Tipico Aplicações:
IGBT, inversor / IGBT, inversor
Valores nominais máximos / máximo额定值
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor |
Unidades |
||
集电极-发射电极 pressão Emissão de colectorr tensão |
VCES |
Tvj= 25°C |
1700 |
V |
||
连续集电极直流电流 Contínuo DC coleçãoctor corrente |
Eu...C nome |
75 |
A |
|||
集电极重复 峰值电流 Pico RepeteAtividade corrente do colector |
Eu...CRM |
tp= 1 ms |
150 |
A |
||
Perda de potência total Total potência DispersãoAção |
P- Não. |
TC= 25°C,Tvjmax= 175°C |
535 |
W |
||
Pressão elétrica máxima Portão máximoTensão do emissor eléctrico |
VGES |
±20 |
V |
|||
A temperatura máxima Junção máximan temperatura |
Tvjmax |
175 |
°C |
|||
CaráterValores/ 特征值 |
||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Min. Tipo. Max. |
Unidades |
||
集电极-发射极?? 和电压 Colector-emissor stensão de aturação |
VCE(sentado) |
Eu...C= 75,VGE=15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
2.24 2.51 2.56 |
2.60 |
V V V |
Pressão elétrica de valor 极 Limite de entradatensão |
VGE (th) |
Eu...C=3mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C |
4.5 5.9 6.5 |
V |
||
极电荷 Portão carga |
QG |
VGE=-15V... +15V |
0.47 |
uC |
||
内部 极电阻 Portão interno resistência |
RGinto |
Tvj= 25°C |
10.8 |
Ó |
||
Capacidade de entrada Limites de entradaacitância |
C- Não. |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V |
5.03 |
nF |
||
Capacidade de transmissão inversa Transe inversaCapacidade de esfera |
Cres |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V |
0.18 |
nF |
||
集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão) Colector-emissor corte-oFF corrente |
Eu...CES |
VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C |
3.00 |
mA |
||
- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga) Emitente de porta vazamento corrente |
Eu...GES |
VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C |
400 |
nA |
||
开通延迟时间( eléctrico carga) Ativar tempo de atraso, indutivo carga |
td(em) |
Eu...C= 75A, VCE=900 V VGE=±15V RGon= 6,6Ω RGoff.= 6,6Ω
Indutivo Load, |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
174 184
188 |
n n n |
|
上升时间( eléctrico carga) Hora de subir. indutivo carga |
tr |
80 83
81 |
n n n |
|||
关断延迟时间( eléctrico carga) Desligação dtempo de execução, indutivo carga |
td(desligado) |
319 380
401 |
n n n |
|||
O tempo de queda.( eléctrico carga) Tempo de outono, indutivo carga |
tf |
310 562
596 |
n n n |
|||
开通 损耗能量(Cada pulso) Ativar energia perdas por pu- O quê? |
Eem |
24.7 27.6 28.4 |
MJ MJ |
|||
关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso) Energia de desligamento perdas por pulso |
Edesligado |
10.9 16.1 17.5 |
MJ MJ |
|||
短路数据 SC dados |
Eu...SC |
VGE≤ 15V, VCC=1000V VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C |
240 |
A |
结-外 热阻 Termal resistência, juação Caso |
RTJC |
Per IGBT / Cada um.IGBT |
0.28 K/W |
|||
temperatura de trabalho Temperatura eMudança Condições |
Tvjop |
- 40 150 °C |
||||
Diodo, inversor/ 二极管, inversor de câmbio Número máximo Valores nominais/ valor máximo |
||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor Unidades |
|||
Pressão elétrica de pico inverso repetido Pico repetitivo Voltagem inversae |
VRRM |
Tvj= 25°C |
1700 V |
|||
continua corrente elétrica direta Contínuo DC paracorrente da ala |
Eu...F |
75 A |
||||
Direcção recorrente Pico corrente repetitiva para a frente |
Eu...MFR |
tp= 1 ms |
150 A |
|||
CaráterValores/ 特征值 |
||||||
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Minha. Tipos, unidades máximas |
|||
Pressão elétrica Voltagem para a frente |
VF |
Eu...F= 75A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
1.59 1.72 1.71 |
2.25 |
V V V |
Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso
Pico para trás recuperação cRenda |
Eu...RM |
Eu...F= 75A - Não.F- Não.desligado=1100A/μs VR = 900 V
VGE= 15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
85 101
108 |
A A A |
|
恢复电荷 Taxa de cobrança |
Qr |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
23.5 32.9 36.2 |
uC uC uC |
||
Perda de recuperação inversa (por pulso) Para trás recuperação energia (por pulso) |
ERec |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
11.8 17.8 19.6 |
MJ MJ MJ |
||
结-外 热阻 Termal resistência, juação Caso |
RTJC |
Por diodo/ Cada um |
0.48 K/W |
|||
temperatura de trabalho Temperatura eMudança Condições |
Tvjop |
- 40 150 °C |
Módulo / 模块
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valor |
Unidade s |
绝缘 试电压 Isolamentotensão de ensaio |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
4.0 |
kV |
模块基板材料 Material de módulo placa de base |
Cu |
|||
内部绝缘 Interno isolamento |
基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140) Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 DesagradávelTâncio |
端子-散热片/ terminal to aquecedores 端子-端子/terminal para terminal |
17
20 |
mm |
|
电气间隙 Autorização |
端子-散热片/ terminal to aquecedores 端子-端子/terminal para terminal |
17 9.5 |
mm |
|
Índice de marcas eléctricas Acompanhamento comparativo índice |
CTI |
> 200 |
Ponto |
Símbolo |
Condições |
Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
Unidades |
杂散电感, módulo Desviado indutividade módulo |
LSCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子 (também conhecido como 模块引脚电阻)- Chipset
Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa |
RCC+EE RAA+CC |
0.65 |
mΩ |
|||
temperatura de armazenamento
Temperatura de armazenagemPeraturação |
TSgt. |
- 40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torque de montagemque para módulo Instalação |
M |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
端子联接 torção distância Conexão do terminaln torque |
M |
M5 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
Peso
Peso |
G |
160 |
g |
IGBT IGBT
Características de saída IGBT, inversor (típico) Características de saída IGBT, inversor (típico)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Características de transferência IGBT, inversor (típico) Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)
E=f (RG) E=f ((IC)
VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Perdas de comutação IGBT, inversor (típico) Impedância térmica transitória IGBT, inversor
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V
IGBT, RBSOA
Área de funcionamento segura de desvio inverso IGBT, inversor (RBSOA) Característica para a frente do diodo, inversor (típica)
Eu...C= f(VCE)Eu...F= f(VF)
VGE=±15V, RGoff.= 6,6Ω, Tvj = 150°C
Perdas de comutação Diodo, inversor (típico) Perdas de comutação Diodo, inversor (típico)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=6,6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V
Diodo de impedância térmica transitória, inversor
ZthJC=f (t)
Um "IGBT de 1700 V" é um Transistor Bipolar de Portão Isolado capaz de lidar com uma tensão máxima de 1700 volts.de potência superior a 1000 W, mas não superior a 1000 WOs sistemas de refrigeração adequados e os circuitos de acionamento de portões são essenciais para um desempenho ideal.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços