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Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Name: Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
Brand: Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
SKU: SPS100B17G3R8
Rating: 4.5 (128 reviews)

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Número do modelo: SPS100B17G3R8

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Configuração:	Inversor de 3 fases	Atual - coletor (CI) (máximo):	200A
Atual - interrupção do coletor (máxima):	1mA	Carga da porta:	100nC
Tipo de entrada:	Padrão	Tipo de montagem:	Montura do chassi
Temperatura de funcionamento:	-40°C ~ 150°C	Embalagem / Caixa:	Módulo de 34 mm
Tipo de embalagem:	Modulo	Potência - Máximo:	1.2 kW
Tempo de recuperação inverso (trr):	100ns	Energia de comutação:	1.2mJ
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):	600 V	Voltagem - Saturação do emissor do colector (máximo):	1.8V

Configuração:	Inversor de 3 fases
Atual - coletor (CI) (máximo):	200A
Atual - interrupção do coletor (máxima):	1mA
Carga da porta:	100nC
Tipo de entrada:	Padrão
Tipo de montagem:	Montura do chassi
Temperatura de funcionamento:	-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:	Módulo de 34 mm
Tipo de embalagem:	Modulo
Potência - Máximo:	1.2 kW
Tempo de recuperação inverso (trr):	100ns
Energia de comutação:	1.2mJ
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):	600 V
Voltagem - Saturação do emissor do colector (máximo):	1.8V

Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Solid Power-DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

1700 V 100A IGBT Metade. Ponte Modulo

1700 V 100A IGBT

Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 0

Características:

D Tecnologia de frenagem de campo de 1700 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

Tipico Aplicações:

□ Motor/Servo

□ Conversores de alta potência

□ UPS

□ Energia fotovoltaica

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		17.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		20.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		17.0			mm
	Desaparecido	terminal para terminal		9.5
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 200

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				20		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M6			3.0		5.0	Nm
Torque de ligação do terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Peso	G				160		g

IGBT

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 25°C	180	A
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 100°C	100	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			200	A
Dissipação de energia	Ptot			535	W

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C= 100A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C= 4 mA		5.0	5.8	6.5	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 900 V, I_C= 75A, V_GE=±15V			0.6		μC
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			9.00		nF
Capacidade de saída	Coes				0.58
Capacidade de transferência reversa	Cres				0.14
Resistência interna da porta	RGint	T_vj= 25°C			9		Ó
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 900V,I_C=100A R_G= 5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		194		n
			T_vj= 125°C		218		n
			T_vj= 150°C		222		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		48		n
			T_vj= 125°C		60		n
			T_vj= 150°C		66		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 900V,I_C=100A R_G= 5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		322		n
			T_vj= 125°C		494		n
			T_vj= 150°C		518		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		500		n
			T_vj= 125°C		676		n
			T_vj= 150°C		740		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 900V,I_C=100A R_G= 5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		20.1		MJ
			T_vj= 125°C		33.4		MJ
			T_vj= 150°C		36.8		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		20.7		MJ
			T_vj= 125°C		30.6		MJ
			T_vj= 150°C		32.8		MJ
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			360	A
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.28	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

Diodo

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F		T_C= 25°C	140	A
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F		T_C= 100°C	100
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			200

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 100A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Tempo de recuperação inverso	trr	Eu..._F=100A DI_F/dt=-2100A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900 V, V_GE= 15V	T_vj= 25°C		120		n
			T_vj= 125°C		180
			T_vj= 150°C		200
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		T_vj= 25°C		193		A
			T_vj= 125°C		216
			T_vj= 150°C		218
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		20		μC
			T_vj= 125°C		40
			T_vj= 150°C		47
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		4.9		MJ
			T_vj= 125°C		21.2
			T_vj= 150°C		24.1
Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.40	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 5

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 100A, V_CE= 900V

Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 6

IGBT RBSOA

Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 5.1Ω, V_CE= 900 V V_GE= ±15V, R_{- O quê?}= 5.1Ω, T_vj= 150°C

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Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 900V

IGBT

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perdas de comutação Diodo (típico)Perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 100A, V_CE= 900V R_G= 5.1Ω, V_CE= 900V

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Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura

Zth(j-c) = f (t)

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O "Módulo de Meia Ponte IGBT de 1700 V 100 A" integra dois IGBT em uma configuração de meia ponte, adequado para aplicações que exigem potência moderada.Fornece um controlo preciso da tensão (1700V) e da corrente (100A)As especificações pormenorizadas podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante.

Circuito Diagrama Título

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Pacote Esboços

Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 13

Dimensões em mm

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Módulos IGBT 34 mm

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Número máximo Classificados Valores

Número máximo Classificados Valores

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Módulo de energia de meia ponte IGBT 1200V 75A Solid Power-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

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Modulo IGBT de ponte de 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019