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Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido

Name: Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido
Brand: Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido
SKU: SPS50B12G3H6
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Número do modelo: SPS50B12G3H6

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                                                Módulo de meia ponte IGBT Mosfet, Módulo de meia-ponte de Mosfet 1200V, 50A Mosfet Half Bridge Module (Módulo de Meia Ponte do Mosfet)
                              

Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido

Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

1200 V 50A IGBT Metade. Ponte Modulo

Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido 0

Características:

D Tecnologia de travagem de 1200 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

Tipico Aplicações:

□ Soldadura

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		17.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		20.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		17.0			mm
	Clea	terminal para terminal		9.5
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 200

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				20		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M6			3.0		5.0	Nm
Torque de ligação do terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Peso	G				150		g

IGBT

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 25°C	80	A
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 100°C	50	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			100	A
Dissipação de energia	Ptot			326	W

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C=50A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		2.07	2.55	V
			T_vj= 125°C		2.49
			T_vj= 150°C		2.61
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C=2mA		5.2	5.7	6.3	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 600 V, I_C= 50A, V_GE=±15V			0.25		μC
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			3.0		nF
Capacidade de transferência reversa	Cres	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			0.12		nF
Resistência interna da porta	RGint	T_vj= 25°C			2.8		Ó
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 600 V,I_C=50A R_G=15Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		52		n
			T_vj= 125°C		49		n
			T_vj= 150°C		49		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		27		n
			T_vj= 125°C		30		n
			T_vj= 150°C		31		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 600 V,I_C=50A R_G=15Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		192		n
			T_vj= 125°C		230		n
			T_vj= 150°C		240		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		152		n
			T_vj= 125°C		202		n
			T_vj= 150°C		207		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 600 V,I_C=50A R_G=15Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		3.3		MJ
			T_vj= 125°C		5.2		MJ
			T_vj= 150°C		5.9		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		2.3		MJ
			T_vj= 125°C		3.0		MJ
			T_vj= 150°C		3.2		MJ
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			260	A
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.46	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Diodo

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F			50	A
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			100	A
Eu...²Valor t	Eu...²t			490	A²s

Características Valores/特征值

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 50A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.11	2.60	V
			T_vj= 125°C		1.85
			T_vj= 150°C		1.75
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM	Eu..._F=50A DI_F/dt=-1300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600 V, V_GE= 15V	T_vj= 25°C		59		A
			T_vj= 125°C		83
			T_vj= 150°C		90
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		2.0		μC
			T_vj= 125°C		6.5
			T_vj= 150°C		8.9
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		0.3		MJ
			T_vj= 125°C		1.7
			T_vj= 150°C		2.7
Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.95	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

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IGBT

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 50A, V_CE= 600V

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IGBT RBSOA

Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 15Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_{- O quê?}= 15Ω, T_vj= 150°C

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Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 50A, V_CE= 600V

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IGBT

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perdas de comutação Diodo (típico)Perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 50A, V_CE= 600V R_G= 15Ω, V_CE= 600V

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Impedância térmica transitória do diodo em função da largura do pulso

Zth(j-c) = f (t)

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Um "Módulo Half Bridge IGBT de 1200V 50A" é um dispositivo eletrônico de potência com dois Transistores Bipolares de Portão Isolado (IGBTs) configurados em uma configuração de meia ponte.É projetado para aplicações que necessitam de controle bidirecional de corrente, com uma tensão máxima de 1200 volts e uma capacidade de corrente de 50 amperes.e aplicações semelhantes em que o controlo preciso da tensão e da corrente é crucial. Os circuitos de arrefecimento e de accionamento de portões adequados são essenciais para um desempenho fiável.

Circuito Diagrama Título

Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido 12

Pacote Esboços

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