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1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Name: 1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
Brand: 1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
SKU: SPS40MA12E4S
Rating: 4.6 (111 reviews)

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Número do modelo: SPS40MA12E4S

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Caída de tensão do diodo do corpo:	1,5V	Classificação atual:	20A
Carga da porta:	20nC	Tensão do ponto inicial da porta:	4V
Voltagem de isolamento:	2500V	Temperatura de junção máxima:	175°C
Resistência do Em-estado:	0.1Ω	Capacidade de saída:	50pF
Tipo de embalagem:	TO-247	Tempo de recuperação reversa:	20ns
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs	Frequência de comutação:	100 kHz
Intervalo de temperatura:	-55°C a +175°C	Nomenclatura de tensão:	1200 V

Caída de tensão do diodo do corpo:	1,5V
Classificação atual:	20A
Carga da porta:	20nC
Tensão do ponto inicial da porta:	4V
Voltagem de isolamento:	2500V
Temperatura de junção máxima:	175°C
Resistência do Em-estado:	0.1Ω
Capacidade de saída:	50pF
Tipo de embalagem:	TO-247
Tempo de recuperação reversa:	20ns
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs
Frequência de comutação:	100 kHz
Intervalo de temperatura:	-55°C a +175°C
Nomenclatura de tensão:	1200 V

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Solid Power-DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200 V 40mΩ SiC MOSFET

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 0

Características:

□ Alta tensão de bloqueio com baixa resistência de ligação

□ Comutação de alta velocidade com baixas capacitancias

□ Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação inversa (Qrr)

Tipico Aplicações:

□ Inversores fotovoltaicos

□ Pilhas de carregamento

D Sistemas de armazenamento de energia

□ Fornecimento de energia industrial

□ Motores industriais

Número máximo Classificações @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
Voltagem da fonte de drenagem	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Voltagem da fonte da porta	VGSop	Estática	-5/+20	V
Voltagem máxima da fonte da porta	VGSmax	Estática	-8/+22	V
Corrente de drenagem contínua	Identificação	VGS=20V, Tc=25°C	75	A
Corrente de drenagem contínua	Identificação	VGS=20V, Tc=100°C	53
Corrente de drenagem pulsada	ID (pulso)	Largura de pulso tp limitada por Tjmax	120	A
Dispersão do Poder	P.D.	TC=25°C, Tj=175°C	366	W
Faixa de intersecção operacional	Tj		-55 a +175	°C
Intervalo de temperatura de armazenamento	Tstg		-55 a +175	°C

Eletrodomésticos Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto	Símbolo	Condições	Min.	Valores Tipo.	- O máximo.	Unidade
Tensão de ruptura da fonte de drenagem	V ((BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Voltagem de limiar da porta	VGS (th)	VDS=VGS, ID=10mA	2.0	2.8	3.5	V
Voltagem de limiar da porta	VGS (th)	VDS=VGS, ID=10mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Corrente de descarga de tensão de porta zero	IDSS	VDS=1200V, VGS=0V	-	1	100	μA
Corrente de vazamento da porta-fonte	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
Resistência ao estado da fonte de drenagem	RDS (ligado)	VGS=20V, ID=35A	-	40	60	mΩ
		VGS=20V, ID=35A, Tj=175°C	-	64	-
		VGS=18V, ID=35A	-	43	70
		VGS=18V, ID=35A, Tj=175°C	-	67	-
Transcondutividade	gfs	VDS=20V, IDS=35A	-	20	-	S
Transcondutividade	gfs	VDS=20V, IDS=35A, Tj=175°C	-	18	-	S
Energia de comutação de ligação (FWD do diodo do corpo)	Eon	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	635	-
		VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,
Energia de comutação de desligamento (FWD do diodo do corpo)	Eof	RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH, Tj=25°C FWD=SPS40MA12E4S	-	201	-	μJ
Tempo de atraso de ligação	Td (em)		-	9	-
Hora de subir.	tr	VDD=800V,	-	30	-
Hora de subir.	tr	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	30	-	n
Tempo de atraso de desligamento	td (desligado)	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	31	-	n
Tempo de atraso de desligamento	td (desligado)	RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH	-	31	-
Tempo de Outono	Tf		-	12	-
Carga de porta para a fonte	Qgs	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A	-	40	-
Portão para descarga de descarga	Qgd		-	60	-	nC
Taxa total da porta	Qg		-	163	-
Capacidade de entrada	Ciss	VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV	-	2534	-	pF
Capacidade de saída	Coss		-	110	-
Capacidade de transferência reversa	Crss		-	26	-
COSS Energia armazenada	Eoss		-	70	-	μJ
Resistência interna do portão	RG ((int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	1.6	-	Ó

Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto	Símbolo	Condições	Min.	Valores Tipo.	- O máximo.	Unidade
Voltagem de diodo para a frente	VSD	VGS=-5V, ISD=20A	-	4.9	7	V
Voltagem de diodo para a frente	VSD	VGS=-5V, ISD=20A, Tj=175°C	-	4.1	-	V
Corrente contínua de diodo para a frente	IS	VGS=-5V	-	75	-	A
Tempo de recuperação inverso	trr	VGS=-5V,	-	32	-	n
Taxa de recuperação inversa	Qrr	ISD=35A,	-	769	-	nC
Corrente de recuperação inversa máxima	Irrm	VR=800V, di/dt=3000A/μs	-	39	-	A

Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto	Símbolo	Condições	Min.	Valores Tipo.	- O máximo.	Unidade
Resistência térmica da junção ao estuque	RθJC		-	0.41	-	°C/W

Tipico Desempenho

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1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 4

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 5

Tipico Desempenho

Tipico Desempenho

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 12

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 13

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 14

Tipico Desempenho

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 15

Trata-se de um Transistor de Efeito de Campo de Metal-óxido-semicondutor de Carbono de Silício (SiC) (MOSFET) com uma tensão nominal de 1200V e uma resistência em estado (RDS(on)) de 40 miliohms (40mΩ).Os MOSFETs SiC são conhecidos por sua capacidade de alta tensão e baixa resistência no estado, tornando-os adequados para aplicações eletrónicas de potência eficiente, tais como conversores de alta frequência e veículos elétricos.A resistência de 40mΩ no estado de funcionamento indica perdas de potência relativamente baixas durante a condução, contribuindo para a melhoria da eficiência em aplicações de alta potência.

Pacote Esboço: TO-247-4L

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Solid Power-DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200 V 40mΩ SiC MOSFET

Eletrodomésticos Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Tipico Desempenho

Tipico Desempenho

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1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado

Automação Alta Tensão Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

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