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1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado

Name: 1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado
Brand: 1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado
SKU: SPS12MA12E4S
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Número do modelo: SPS12MA12E4S

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Classificação atual:	40A	Carga da porta:	120nC
Tensão do ponto inicial da porta:	4V	Voltagem de isolamento:	2500V
sem chumbo:	- Sim, sim.	Estilo de montagem:	Através do Buraco
Resistência do Em-estado:	0.015Ω	Tipo de embalagem:	TO-247
Tempo de recuperação reversa:	25ns	Compatível com a norma Rohs:	- Sim, sim.
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs	Frequência de comutação:	100 kHz
Intervalo de temperatura:	-40°C a 175°C	Nomenclatura de tensão:	1200 V

Classificação atual:	40A
Carga da porta:	120nC
Tensão do ponto inicial da porta:	4V
Voltagem de isolamento:	2500V
sem chumbo:	- Sim, sim.
Estilo de montagem:	Através do Buraco
Resistência do Em-estado:	0.015Ω
Tipo de embalagem:	TO-247
Tempo de recuperação reversa:	25ns
Compatível com a norma Rohs:	- Sim, sim.
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs
Frequência de comutação:	100 kHz
Intervalo de temperatura:	-40°C a 175°C
Nomenclatura de tensão:	1200 V

1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado

Forças sólidas-DS-SPS12MA12E4S

1200 V 12 mΩ SiC MOSFET

1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado 0

Características:

□ Alta tensão de bloqueio com baixa resistência de ligação

□ Comutação de alta velocidade com baixas capacitancias

□ Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação inversa (Qrr)

Tipico Aplicações:

□ Inversores fotovoltaicos

□ Pilhas de carregamento

D Sistemas de armazenamento de energia

□ Fornecimento de energia industrial

□ Motores industriais

Número máximo Classificações @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
Voltagem da fonte de drenagem	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Voltagem da fonte da porta	VGSop	Estática	-5/+20	V
Voltagem máxima da fonte da porta	VGSmax	Estática	-8/+22	V
Corrente de drenagem contínua	Identificação	VGS=20V, Tc=25°C	214	A
Corrente de drenagem contínua	Identificação	VGS=20V, Tc=100°C	151	A
Corrente de drenagem pulsada	ID (pulso)	Largura de pulso tp limitada por Tjmax	400	A
Dispersão do Poder	P.D.	TC=25°C, Tj=175°C	938	W
Faixa de intersecção operacional	Tj		-55 a +175	°C
Intervalo de temperatura de armazenamento	Tstg		-55 a +175	°C

Eletrodomésticos Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto	Símbolo	Condições	Valores Min. Tipo. - O máximo.			Unidade
Tensão de ruptura da fonte de drenagem	V ((BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Voltagem de limiar da porta	VGS (th)	VDS=VGS, ID=40mA	2.0	2.7	3.5	V
Voltagem de limiar da porta	VGS (th)	VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Corrente de descarga de tensão de porta zero	IDSS	VDS=1200V, VGS=0V	-	2	100	μA
Corrente de vazamento da porta-fonte	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
Resistência ao estado da fonte de drenagem	RDS (ligado)	VGS=20V, ID=100A	-	12	20	mΩ
		VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C	-	20	-
		VGS=18V, ID=100A	-	13	25
		VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C	-	21	-
Transcondutividade	gfs	VDS=20V, IDS=100A	-	60	-	S
Transcondutividade	gfs	VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C	-	52	-	S
Energia de comutação de ligação (FWD do diodo do corpo)	Eon	VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=100A, RG(ext)=5Ω, L=100μH, Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S	-	5.2	-	MJ
Energia de comutação de desligamento (FWD do diodo do corpo)	Eof		-	3.7	-	MJ
Tempo de atraso de ligação	Td (em)	VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH	-	24	-	n
Hora de subir.	tr		-	149	-
Tempo de atraso de desligamento	td (desligado)		-	145	-
Tempo de Outono	Tf		-	49	-
Carga de porta para a fonte	Qgs	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A	-	215	-	nC
Portão para descarga de descarga	Qgd		-	179	-
Taxa total da porta	Qg		-	577	-
Capacidade de entrada	Ciss	VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV	-	8330	-	pF
Capacidade de saída	Coss		-	343	-
Capacidade de transferência reversa	Crss		-	57	-
COSS Energia armazenada	Eoss		-	217	-	μJ
Resistência interna do portão	RG ((int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	0.8	-	Ó

Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto Símbolo		Condições	Valores Unidade Min. Tipo. - O máximo.
Voltagem de diodo para a frente	VSD	VGS=-5V, ISD=50A	-	4.7	7	V
Voltagem de diodo para a frente	VSD	VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C	-	3.8	-	V
Corrente contínua de diodo para a frente	IS	VGS=-5V	-	214	-	A
Tempo de recuperação inverso	trr	VGS=-5V,	-	46	-	n
Taxa de recuperação inversa	Qrr	ISD=100A,	-	1	-	nC
Corrente de recuperação inversa máxima	Irrm	VR=800V, di/dt=1597A/μs	-	37	-	A

Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Ponto Símbolo		Condições	Valores Unidade
Resistência térmica da junção ao estuque	RθJC		-	0.16	-	°C/W
Resistência térmica da junção ao ambiente	RθJA		-	32	-	°C/W

Desempenho típico

1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado 4

1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado 5

1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado 6

Desempenho típico

Desempenho típico

Este é um MOSFET de carburo de silício (SiC) de 1200 V com uma resistência em estado de funcionamento de 12 miliohms (12mΩ).tornando-os adequados para aplicações electrónicas de potência eficiente, como conversores de alta frequência e veículos elétricos.

Pacote Esboço: TO-247-4 litros

1200V 12mΩ Sic Potência Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizado 18

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