Solid Power-DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0.

1200 V 75mΩ SiC MOSFET

Características:

□ Alta tensão de bloqueio com baixa resistência de ligação

□ Comutação de alta velocidade com baixas capacitancias

□ Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação inversa (Qrr)

Tipico Aplicações:

□ Inversores fotovoltaicos

□ Pilhas de carregamento

D Sistemas de armazenamento de energia

□ Fornecimento de energia industrial

□ Motores industriais

Número máximo Classificações @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Eletrodomésticos Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)

Tipico Desempenho

Tipico Desempenho

Tipico Desempenho

Tipico Desempenho

Tipico Desempenho

Trata-se de um Transistor de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor de Carbono de Silício (SiC) (MOSFET) com uma tensão nominal de 1200V e uma resistência em estado (RDS(on)) de 75 miliohms (75mΩ).Os MOSFETs SiC são conhecidos por sua capacidade de alta tensão e baixa resistência no estado, tornando-os adequados para aplicações eletrónicas de potência eficiente, tais como conversores de alta frequência e veículos elétricos.A resistência em estado activo de 75 mΩ indica perdas de potência relativamente baixas durante a condução, contribuindo para a melhoria da eficiência em aplicações de alta potência.