1200V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

IGBT, inversor/ IGBTAo contrário.变器

Valores nominais máximos/máximo valor máximo

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

集电极-发射电极 pressão

Coleccionadortensão de itter

VCES

Tvj= 25°C ,VGE=0V

1200

V

连续集电极直流电流

Corrente contínua do colector de CC

Eu...C nome

TC= 105°C, Tvjmax= 175°C

600

A

集电极重复 峰值电流

Pico repetitivo coletor corrente

Eu...CRM

tp= 1 ms

1200

A

Pressão elétrica máxima

Emitente máximo da porta vidade avançada

VGES

±20

V

Valores característicos/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo Max.

Unidades

集电极- 发射极?? 和电压

Colector-emissor saturação tensão

VCE(sentado)

Eu...C= 600 A, VGE=15V

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

1.53

1.71

1.83

V

V

V

Pressão elétrica de valor 极

Portão limiar tensão

VGE (th)

Eu...C= 24 mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

5.5

V

极电荷

Taxa de entradae

QG

VGE=-15V... +15V, Eu...C= 600A, VCE= 600V

4.1

uC

内部 极电阻

Resistência interna da porta

RGinto

Tvj= 25°C

2

Ó

Capacidade de entrada

Capacidade de entrada

C- Não.

Tvj= 25°C,

76

nF

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colecionador...corrente de corte do emissor

Eu...CES

VCE=1200V, VGE=0V,

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 175°C

0.1

0.35

12

mA

mA

mA

极- 发射极漏电流

Emissão por portater corrente de fuga

Eu...GES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj= 125°C

- 150 150

nA

开通延迟时间(电感负载)

td(em)

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

435

488

n

n

Retardo de activação tempo, carga indutiva

Tvj= 175°C

510

n

上升时间( eléctrico carga)

Tvj= 25°C

156

n

Tempo de ascensão

Tvj= 125°C Tvj= 175°C

202

225

n

n

关断延迟时间( eléctrico负载)

Desligação atraso tempo, carga indutiva

td(desligado)

Eu...C= 600A, VCC =600 V

VGE=±15V

RG= 0,51Ω

CGE=0 nF

Indutivo Load

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 175°C

Tvj= 25°CTvj= 125°C Tvj= 175°C

385

417

427

n

n

n

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de queda, indutivocarga

tf

112

148

176

n

n

n

开通 损耗能量(Cada pulso冲)

95

MJ

Perda de energia de ligação por pulso

Eem

140

171

MJ

MJ

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

67

MJ

Perda de energia de desligamento por pulsoSe

Edesligado

99

115

MJ

MJ

短路数据

SC dados

Eu...SC

VGE=15V, VCC= 900V

VCEM CHIP ≤ 1200V ,Tvj= 175°C

2500

A

结-外 热阻

Termal resistirA partir da junção com a Caso

RTJC

Por IGBT /Cada um.IGBT

0.05

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura sob interrupção cCondições

Tvjop

- 40150

°C