Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
produtos
produtos
Para casa > produtos > Módulos IGBT EconoDual3 > 1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Detalhes do produto

Marca: SPS

Número do modelo: SPS450B17D3R8

Termos de pagamento e envio

Obtenha o melhor preço
Destacar:

Módulo IGBT de meia ponte de potência sólida

,

Módulo de meia ponte IGBT 450A

,

Módulo de meia ponte IGBT de 1700 V

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Modulo de meia ponte IGBT de 1700 V 450 A

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 0

Características:
 Tecnologia Trench+ Field Stop de 1700 V
 Diodos de rotação livre com recuperação reversa rápida e suave
 VCE (sat) com coeficiente de temperatura positivo
 Baixas perdas de mudança
 Cortocircuito resistente
 
Aplicações típicas:
 Acionamento motorizado
Turbinas eólicas

 

IGBT, Inversor / IGBT, inversor

 

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

集电极-发射电极 pressão

Colector-emissortensão

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

 

Eu...C nome

 

TC= 100°C, Tvjmax= 175°C

 

450

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

 

Eu...CRM

 

tp= 1 ms

 

900

 

A

 

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo. Max. - O quê?

 

Unidades

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati colector-emissorem tensão

 

 

VCE(sentado)

 

Eu...C= 450 A, VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.70

1.95 2.00

 

2.00

 

V

V

V

 

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

 

 

VGE (th)

 

Eu...C= 17 mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

 

5.1 5.9 6.6

 

 

V

 

极电荷

Portão carga

 

QG

 

VGE=-15V... +15V

 

 

2.42

 

 

uC

 

内部 极电阻

Portão interno resistência

 

RGinto

 

Tvj= 25°C

 

2.2

 

Ó

 

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

 

 

C- Não.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

37.5

 

nF

 

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

 

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.63

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor limite cRenda

 

Eu...CES

 

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

 

 

Eu...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

 

 

td( em)

 

 

 

 

 

 

 

Eu...C= 450 A, VCE= 900V

VGE=±15V

RGon= 3,3Ω

RGoff.= 3,3Ω

 

Indutivo Load,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

215

240

 

245

 

n

n

n

 

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

 

tr

 

100

125

 

130

 

n

n

n

 

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

 

 

td(desligado)

 

575

720

 

740

 

n

n

n

 

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

 

tf

 

385

670

 

715

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

 

 

Eem

 

135

223

 

241

 

MJ

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

 

Edesligado

 

103

159

 

167

 

MJ

MJ

MJ

 

短路数据

SC dados

 

Eu...SC

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

1400

 

A

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Per IGBT / Cada um. IGBT

 

0.07

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

 

- 40150

 

 

°C

 

 

Diodo, inversor/ 2o tubo, inversor

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

 

Eu...F

 

 

450

 

 

A

 

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

 

Eu...MFR

 

tp= 1 ms

 

900

 

A

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo. Max. - O quê?

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

VF

 

 

Eu...F= 450A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.80

1.95 1.95

 

2.10

 

V

V

V

 

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

 

Pico para trás recuperação cRenda

 

 

Eu...RM

 

 

 

Eu...F= 450A

- Não.F- Não.desligado= 5200A/μs

VR = 900 V

 

VGE= 15V

 

Tvj= 25°C 490

Tvj= 125°C485

 

Tvj= 150°C485

 

A

A

A

 

恢复电荷

Taxa de cobrança

 

 

Qr

 

Tvj= 25°C90

Tvj= 125°C 185

 

Tvj= 150°C 200

 

uC

uC

uC

 

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

 

ERec

 

Tvj= 25°C 43

Tvj= 125°C 87

 

Tvj= 150°C 95

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Por diodo/ Cada um

 

0.09

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

NTC-Termistor / 负温度系数 热敏电阻

Valores característicos/特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

额定电阻值

Classificados resisTâncio

 

R25

 

TC= 25°C

 

5.00

 

 

B-

Valor B

 

B25/50

 

 

3375

 

K

 

 

Modulo/

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

绝缘 试电压

Isolamentotensão de ensaio

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.4

 

 

kV

 

模块基板材料

Material de módulo placa de base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

DesagradávelTâncio

 

 

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

 

14.5

13.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorização

 

 

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

 

12.5

10.0

 

mm

 

Índice de marcas eléctricas

Acompanhamento comparativo índice

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha.

 

Tipo.

 

Max. - O quê?

 

Unidades

 

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

módulo resistência elétrica do fio condutor,端子- Chipset

Modulo chumbo Resistência, terminais - chip

 

RCC+EE

 

TC= 25°C

 

 

1.10

 

 

 

temperatura de armazenamento

 

Temperatura de armazenagemPeraturação

 

TSgt.

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

Torque de instalação do módulo

Torque de montagemque para módulo Instalação

 

M5

 

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接 torque

Conexão do terminaln torque

 

M6

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

345

 

 

g

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 1

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 2

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 3

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 4

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 5

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 6