1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

IGBT, Inversor / IGBT, inversor

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite值

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

集电极-发射电极 pressão

Colector-emissortensão

VCES

Tvj= 25°C

1200

V

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

Eu...C

TC= 100°C

150

A

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

Eu...CRM

tp= 1 ms

300

A

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

VGES

±20

V

Perda de potência total

Total potência DispersãoAção

P- Não.

TC= 25°C, Tvj= 175°C

887

W

CaráterValores/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo Max.

Unidades

集电极-发射极?? 和电压

Saturati colector-emissorem tensão

VCE(sentado)

Eu...C= 150 A, VGE=15V

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

1.65

1.85

1.90

V

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

VGE (th)

Eu...C= 6mA, VCE=VGE,Tvj= 25°C

5.6 6.37.0

V

内部 极电阻

Portão interno resistência

RGinto

Tvj= 25°C

2.5

Ó

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

C- Não.

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

10.6

nF

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

Cres

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

0.54

nF

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor limite cRenda

Eu...CES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

1.00

mA

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

Eu...GES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

500

nA

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

td( em)

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

72

80

n

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

tr

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

74

78

n

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

td(desligado)

Eu...C= 150A, VCE= 600V

VGE=-15V... +15V

RGon= 5,1Ω

RGoff.= 5,1Ω

Indutivo Lo.Anúncio

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

413

480

n

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

tf

56

60

n

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

Eem

17.2

24.8

MJ

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

Edesligado

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

12.4

18.6

MJ

短路数据

SC dados

Eu...SC

VGE= 15V...+15, VCC= 600V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

650

A

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

RTJC

Per IGBT / Cada um. IGBT

0.169

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

- 40 150

°C

Diodo, inversor/ 2o tubo, inversor

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

VRRM

Tvj= 25°C

1200

V

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

Eu...F

150

A

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

Eu...MFR

tp= 1 ms

300

A

CaráterValores/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo Max.

Unidades

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

VF

Eu...F= 150A

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

1.85

1.80 1.80

2.00

V

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

Pico para trás recuperação cRenda

Eu...rm

Eu...F= 150A

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

65

80

A

Carga de recuperação inversa

Para trás recuperação charge

QRR

- Não.F- Não.desligado=1600A/μs VR = 600 V

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

12.4

24.5

μC

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

ERec

VGE= 15V

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

3.6

7.3

MJ

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

RTJC

Por diodo/ Cada um

0.30

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

- 40 150

°C

IGBT, Elicóptero de travagem/ IGBT, ¥ 车

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite值

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

集电极-发射电极 pressão

Colector-emissortensão

VCES

Tvj= 25°C, Eu...C=1mA, VGE=0V

1200

V

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

Eu...C

TC= 100°C, Tvj= 175°C

100

A

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

Eu...CRM

tp= 1 ms

200

A

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

VGES

±20

V

Perda de potência total

Total potência DispersãoAção

P- Não.

TC= 25°C, Tvj= 175°C

652

W

CaráterValores/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo. Max. - O quê?

Unidades

集电极-发射极?? 和电压

Saturati colector-emissorem tensão

VCE(sentado)

Eu...C= 100 A, VGE=15V

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

1.65

1.95 2.05

2.00

V

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

VGE (th)

Eu...C= 3,3 mA, VCE=10V, Tvj= 25°C

5.0 5.7 6.5

V

极电荷

Portão carga

QG

VGE=-15V... +15V

0.90

μC

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

C- Não.

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

6.80

nF

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

Cres

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

0.30

nF

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor limite cRenda

Eu...CES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

1.00

mA

- Sim.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

Eu...GES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

500

nA

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

td( em)

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

145

155

n

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

tr

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

28

40

n

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

td(desligado)

Eu...C= 100A, VCE= 600V

VGE=-15V... +15V

RGon=1,6 Ω

RGoff.=1,6Ω

Indutivo Lo.Anúncio

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

325

360

n

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

tf

110

170

n

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

Eem

4.9

7.2

MJ

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

Edesligado

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

6.5

9.7

MJ

短路数据

SC dados

Eu...SC

VGE= 15V...+15, VCC= 600V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

450

A

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

RTJC

Per IGBT / Cada um. IGBT

0.23

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

- 40 150

°C

Diodo, Elicóptero de travagem/ - Não, não.

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

VRRM

Tvj= 25°C

1200

V

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

Eu...F

50

A

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

Eu...MFR

tp= 1 ms

100

A

CaráterValores/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Min. Tipo. Max..

Unidades

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

VF

Eu...F=50A

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

1.85

1.80

1.80

V

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

Pico para trás recuperação cRenda

Eu...RR

Eu...F=50A

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

7.00

11.2

A

Carga de recuperação inversa

Para trás recuperação charge

Qr

- Não.F- Não.desligado= 2300A/μs VR = 600 V

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

80

85

μC

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

ERec

VGE= 15V

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

2.8

4.9

MJ

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

RTJC

Por diodo/ Cada um

0.68

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

- 40 150

°C

Diodo, Rectificador/ 2o tubo, 1o fluxo

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidades

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

VRRM

Tvj= 25°C

1600

V

Máximo corrente elétrica vertical(Cada chip)

Número máximo Corrente RMS para a frente por chip

Eu...FRMSM

TH = 100°C

150

A

máximo inteiro de fluxo de saída

Número máximo Corrente RMS a rectificador produção

Eu...RMSM

TH = 100°C

150

A

Corrente de corrente

Avança.corrente

Eu...FSM

tp= 10 ms, Tvj=25°C, sin180°

1600

A

Eu...2T-值

Valor I2t

Eu...2t

tp= 10 ms, Tvj= 25°C, sin180°

13000

A2S

CaráterValores/ 特征值

Ponto

Símbolo

Condições

Minha. Tipo. Max. - O quê?

Unidades

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

VF

Tvj= 150°C, Eu...F=100A

1.0

V

Corrente elétrica inversa

Corrente inversa

Eu...R

Tvj= 125°C, VR=1600V

2.0

mA

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

RTJC

Por diodo/ Cada um

0.28

K/W

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

Tvjop

-40 150

°C

Modulo/ 模块

Ponto

Símbolo

Condições

Valor

Unidade

s

绝缘 试电压

Isolamentotensão de ensaio

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Material de módulo placa de base

Cu

内部绝缘

Interno isolamento

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

Al2O3

爬电距离

DesagradávelTâncio

10

mm

电气间隙

Autorização

7.5

mm

Índice de marcas eléctricas

Comparative rastreamento índice

CTI

> 200

Símbolo do itemCondições Min. Tipo Max. Unidades

杂散电感, módulo

Desorientado indutividade módulo

LSCE

25

nH

模块引脚电阻, 端子- Chipset

Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa

RCC??+EE TH= 25°C,Cada chave/percussão

1.1

mΩ

temperatura de armazenamento

Temperatura de armazenagemPeraturação

TSgt.

- 40 125

°C

模块安装的安装扭距

Torque de montagemque para módulo Instalação

M

3.00 6.00

Nm

Peso

Peso

G

300

g