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1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0

Detalhes do produto

Marca: SPS

Número do modelo: SPS100P12M3M4

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Módulo PIM IGBT de 100 A

,

Módulo PIM Solid Power IGBT

,

Módulo PIM IGBT de 1200 V

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0

A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de veículos a motor não deve ser superior a 20 km/h.0

Módulo PIM IGBT de 1200 V a 100 A

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Características:
 Tecnologia Trench+ Field Stop de 1200 V
 Diodos de rotação livre com recuperação reversa rápida e suave
 VCE (sat) com coeficiente de temperatura positivo
 Baixas perdas de mudança
 Cortocircuito resistente
 
Aplicações típicas:
 Acionamento motorizado
 Servo-condutores
 

 

IGBT, Inversor / IGBT, inversor

 

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

集电极-发射电极 pressão

Colector-emissortensão

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

 

Eu...C

 

TC= 100°C

 

100

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

 

Eu...CRM

 

tp= 1 ms

 

200

 

A

 

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

 

 

VGES

 

 

± 20

 

 

V

 

Perda de potência total

Total potência DispersãoAção

 

 

P- Não.

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

 

515

 

W

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo Max.

 

Unidades

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati colector-emissorem tensão

 

VCE(sentado)

 

 

Eu...C= 100 A, VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.92

2.34 2.44

 

2.50

 

 

V

 

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

 

VGE (th)

 

 

Eu...C= 3,8 mA, VCE=VGE,Tvj= 25°C

 

5.2 5.8 6.4

 

V

 

内部 极电阻

Portão interno resistência

 

 

RGinto

 

 

Tvj= 25°C

 

6.2

 

 

Ó

 

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

 

 

C- Não.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

7.47

 

nF

 

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

 

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

0.28

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor limite cRenda

 

Eu...CES

 

 

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

1.00

 

mA

 

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

 

Eu...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

 

td( em)

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

104

113

 

118

 

n

 

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

 

 

tr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

27

32

 

34

 

n

 

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

 

td(desligado)

 

Eu...C= 100A, VCE= 600V

VGE=-15V... +15V

RGon=2Ω

RGoff.=2Ω

 

Indutivo Lo.Anúncio

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

203

251

 

259

 

n

 

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

 

 

tf

 

181

184

 

197

 

n

 

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

 

Eem

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

3.04

6.17

7.22

 

MJ

 

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

 

Edesligado

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

6.11

8.24

8.77

 

MJ

 

短路数据

SC dados

 

 

Eu...SC

 

VGE= 15V...+15, VCC= 800V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

330

 

A

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Per IGBT / Cada um. IGBT

 

 

0.29

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

Diodo, inversor/ 2o tubo, inversor

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

 

Eu...F

 

 

100

 

 

A

 

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

 

Eu...MFR

 

tp= 1 ms

 

200

 

A

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Min. Tipo. Max.

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

VF

 

 

Eu...F=100A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.20

2.152.07

 

2.80

 

V

 

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

 

Pico para trás recuperação cRenda

 

 

Eu...rm

 

 

 

Eu...F=100A

- Não.F- Não.desligado= 2700A/μs VR = 600 V

 

VGE= 15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

110

120

 

125

 

A

 

Carga de recuperação inversa

Para trás recuperação charge

 

 

QRR

 

6.04

12.58

15.34

 

μC

 

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

 

ERec

 

2.09

4.72

5.79

 

MJ

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Por diodo/ Cada um

 

0.62

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

 

IGBT, Elicóptero de travagem/ IGBT, ¥ 车

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

集电极-发射电极 pressão

Colector-emissortensão

 

VCES

 

 

Tvj= 25°C, Eu...C=1mA, VGE=0V

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Contínuo DC coleçãoctor corrente

 

Eu...C

 

TC= 100°C, Tvj= 175°C

 

50

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Pico RepeteAtividade corrente do colector

 

Eu...CRM

 

tp= 1 ms

 

100

 

A

 

Pressão elétrica máxima

Portão máximoTensão do emissor eléctrico

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

Perda de potência total

Total potência DispersãoAção

 

P- Não.

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

270

 

W

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo. Max. - O quê?

 

Unidades

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati colector-emissorem tensão

 

VCE(sentado)

 

Eu...C= 50 A, VGE=15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.10

2.53 2.61

 

2.40

 

V

 

Pressão elétrica de valor 极

Limite de entradatensão

 

 

VGE (th)

 

Eu...C=1,6mA, VCE=10V, Tvj= 25°C

 

 

5.2 5.8 6.4

 

V

 

极电荷

Portão carga

 

QG

 

 

VGE=-15V... +15V

 

0.24

 

μC

 

Capacidade de entrada

Limites de entradaacitância

 

C- Não.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

2.96

 

nF

 

Capacidade de transmissão inversa

Transe inversaCapacidade de esfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

0.11

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Fluxo de transmissão)

Colector-emissor limite cRenda

 

 

Eu...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

 

1.00

 

mA

 

- Não.-发射极漏电流 (Fluxo de descarga)

Emitente de porta vazamento corrente

 

Eu...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

 

td( em)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

56

60

 

61

 

n

 

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

 

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

36

43

 

45

 

n

 

关断延迟时间( eléctrico carga)

Desligação dtempo de execução, indutivo carga

 

td(desligado)

 

Eu...C=50A, VCE=600 V

VGE=-15V... +15V

RGon=15Ω

RGoff.=15Ω

 

Indutivo Lo.Anúncio

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

189

235

 

245

 

n

 

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

 

 

tf

 

184

221

 

244

 

n

 

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pu- O quê?

 

Eem

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

3.50

5.83

6.59

 

MJ

 

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

 

Edesligado

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.93

4.05

4.42

 

MJ

 

短路数据

SC dados

 

 

Eu...SC

 

VGE= 15V...+15, VCC= 800V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

190

 

A

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Per IGBT / Cada um. IGBT

 

 

0.54

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

 

Diodo, Elicóptero de travagem/ - Não, não.

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

continua corrente elétrica direta

Contínuo DC paracorrente da ala

 

Eu...F

 

 

30

 

 

A

 

Direcção recorrente

Pico corrente repetitiva para a frente

 

Eu...MFR

 

tp= 1 ms

 

60

 

A

 

CaráterValores/ 特征值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Min. Tipo. Max..

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

VF

 

 

Eu...F=50A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.94

1.64 1.57

 

2.40

 

V

 

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

 

Pico para trás recuperação cRenda

 

 

Eu...RR

 

 

 

Eu...F=50A

- Não.F- Não.desligado= 800A/μs VR = 600 V

 

VGE= 15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

20

29

 

31

 

A

 

Carga de recuperação inversa

Para trás recuperação charge

 

 

Qr

 

2.04

5.23

6.18

 

μC

 

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

 

ERec

 

0.95

2.01

2.28

 

MJ

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Por diodo/ Cada um

 

1.35

 

K/W

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

Diodo, Rectificador/ 2o tubo, 1o fluxo

Número máximo Valores nominais/ máximo定值

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1800

 

V

 

Máximo corrente elétrica vertical(Cada chip)

Número máximo Corrente RMS para a frente por chip

 

Eu...FRMSM

 

TC = 80°C

 

80

 

 

A

 

Corrente de corrente

Avança.corrente

 

Eu...FSM

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C, sin180°

 

 

960

 

A

 

Eu...2T-

Valor I2t

 

Eu...2t

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C, sin180°

 

4600

 

A2s

 

CaráterValores/ 特征值

       

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo. Max. - O quê?

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

VF

 

 

Tvj= 25°C, Eu...F= 80A

 

1.10 1.20

 

V

 

Corrente elétrica inversa

 

Corrente inversa

 

Eu...R

 

Tvj= 25°C, VR=1800V

 

 

10

 

μA

 

temperatura de trabalho

Temperatura eMudança Condições

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 1

 

 

Modulo/

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

绝缘 试电压

Isolamentotensão de ensaio

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Material de módulo placa de base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

DesagradávelTâncio

   

 

10

 

mm

 

电气间隙

Autorização

   

 

7.5

 

mm

 

Índice de marcas eléctricas

Comparative rastreamento índice

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Símbolo do itemCondições Min. Tipo Max. Unidades

 

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

 

LSCE

 

25

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- Chipset

 

Modulo Plomo Resistência ,Terminal-Ccoxa

 

RCC??+EE TH= 25°C,Cada chave/percussão

 

1.1

 

 

temperatura de armazenamento

 

Temperatura de armazenagemPeraturação

 

TSgt.

 

 

- 40 125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torque de montagemque para módulo Instalação

 

 

M

 

3.00 6.00

 

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

 

300

 

g

 

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 2

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 3

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 4

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 5

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 6

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 7

1200V 100A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS100P12M3M4-S04030015 V1.0 8