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1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Name: 1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
Brand: 1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
SKU: SPS200F12K3
Rating: 4.7 (117 reviews)

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Número do modelo: SPS200F12K3

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Corrente de coletor:	50A	tensão do Coletor-emissor:	600 V
Classificação atual:	50A	Carga da porta:	50nC
tensão do Porta-emissor:	± 20V	Voltagem de isolamento:	2500V
Temperatura máxima de funcionamento:	150°C	Tipo de embalagem:	EconoPACK
Tempo de recuperação reversa:	100ns	Compatível com a norma Rohs:	- Sim, sim.
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs	Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	1.5°C/W	Nomenclatura de tensão:	600 V

Corrente de coletor:	50A
tensão do Coletor-emissor:	600 V
Classificação atual:	50A
Carga da porta:	50nC
tensão do Porta-emissor:	± 20V
Voltagem de isolamento:	2500V
Temperatura máxima de funcionamento:	150°C
Tipo de embalagem:	EconoPACK
Tempo de recuperação reversa:	100ns
Compatível com a norma Rohs:	- Sim, sim.
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:	10 μs
Frequência de comutação:	20 KHZ
Resistência térmica:	1.5°C/W
Nomenclatura de tensão:	600 V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

1200 V 200A IGBT Cheio Ponte Modulo

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 0

Características:

D Tecnologia de travagem de 1200 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

□ Circuito curto e resistência

TipicoAplicações:

□ Motoristas

□ Servocondutores

□ Inversores auxiliares

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		2.5			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		10.0			mm
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		7.5			mm
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 200

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Módulo de indutividade desviada	LsCE				21		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		1.80		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M5			3		6	Nm
Peso	G				300		g

IGBT

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 60°C	200	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			400	A
Dissipação de energia	Ptot			750	W

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C= 200A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.60	2.10	V
			T_vj= 125°C		1.80
			T_vj= 150°C		1.85
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C= 8mA		5.2	6.0	6.7	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 600 V, I_C= 200A, V_GE=±15V			1.6		μC
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			24.7		nF
Capacidade de saída	Coes				0.9
Capacidade de transferência reversa	Cres				0.2
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 600 V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=15V	T_vj= 25°C		388		n
			T_vj= 125°C		428		n
			T_vj= 150°C		436		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		44		n
			T_vj= 125°C		52		n
			T_vj= 150°C		56		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 600 V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=15V	T_vj= 25°C		484		n
			T_vj= 125°C		572		n
			T_vj= 150°C		588		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		132		n
			T_vj= 125°C		180		n
			T_vj= 150°C		196		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 600 V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=15V	T_vj= 25°C		6.5		MJ
			T_vj= 125°C		9.6		MJ
			T_vj= 150°C		11.2		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		11.8		MJ
			T_vj= 125°C		16.4		MJ
			T_vj= 150°C		17.3		MJ
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			750	A
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.20	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Diodo

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F			200	A
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			400	A

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 200A, V_GE=0V	T_vj= 25°C	1.5	1.80	2.40	V
			T_vj= 125°C		1.80
			T_vj= 150°C		1.80
Tempo de recuperação inverso	trr	Eu..._F=200A DI_F/dt=-6000A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600 V, V_GE= 15V	T_vj= 25°C		864		n
			T_vj= 125°C		1170
			T_vj= 150°C		1280
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		T_vj= 25°C		270		A
			T_vj= 125°C		290
			T_vj= 150°C		300
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		22.6		μC
			T_vj= 125°C		34.8
			T_vj= 150°C		40.0
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		4.0		MJ
			T_vj= 125°C		13.7
			T_vj= 150°C		16.1
Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.30	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

NTC-Termistor

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Resistência nominal	R25		T_C= 25°C	5.00	kΩ
Valor B	R25/50			3375	K

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 5

IGBT

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 600V

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 6

IGBT RBSOA

Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_{- O quê?}= 3,3Ω, T_vj= 150°C

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 7

Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor Portão de tensão carga(típico)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 8

IGBT

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 9

Mudança perdas Diodo (típico) Comutação perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 200A, V_CE= 600V R_G= 3,3Ω, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 10

Diodo transiente térmico Impedância como a) função de largura do pulso NTC-Termistor-temperatura Característica (típico)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 11

Este é um módulo full bridge IGBT de 1200V, 200A. As configurações full bridge são comumente usadas em aplicações eletrônicas de potência, como acionamentos de motores, inversores e fontes de alimentação.A tensão nominal indica a tensão máxima que o módulo pode suportar, enquanto a corrente nominal representa a corrente máxima que pode suportar.e circuitos de proteção são necessários para garantir uma operação confiável e segura.

Circuito Diagrama Título

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 12

Pacote Esboços

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 13

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