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1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2

Detalhes do produto

Número do modelo: SPS180RC16K2

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Modulos IGBT de alta corrente de 180A

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Módulos IGBT de alta corrente semi-controlados

,

Modulos IGBT de 1600 V EconoPack

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2

Solid Power-DS-SPS180RC16K2-S04040007 V1.0

 

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2 0

Características:

  • Substrato de Al2O3 de baixa resistência térmica
  • Alta densidade de potência
  • Design compacto

 

Tipico Aplicações:

  • Rectificador ativo
  • Ponte B6 semi-controlada

 

Diodo, Rectificador.

Valor nominal máximo /

 

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo Voltagem inversae

 

VRRM

 

 

Tvj= 25°C, Eu...R= 0,1 mA

 

1600

 

V

 

Máximo corrente elétrica vertical(Cada chip)

Número máximo Corrente RMS para a frente por chip

 

Eu...FRMSM

 

TC= 80°C, Tvj= 150°C

 

150

 

A

 

máximo inteiro de fluxo de saída

Número máximo Corrente RMS a rectificador produção

 

 

Eu...RMSM

 

TC= 80°C

 

 

180

 

A

 

Corrente de corrente

Avança.corrente

 

Eu...FSM

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C

 

1300

 

A

 

Eu...2T-

Valor I2t

 

Eu...2t

 

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C

 

8450

 

A2s

 

CaráterValores/ 特征值

       

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo Max.

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

VF

 

 

Tvj= 25°C, Eu...F= 110A

 

1.051.20

 

V

 

Pressão elétrica

Limite vidade avançada

 

VTO

 

Tvj= 150°C

 

0.80

 

 

V

 

斜率 resistência elétrica

Ponto de inclinação resistência

 

 

rT

 

Tvj= 150°C

 

2.40

 

 

Corrente elétrica inversa

 

Corrente inversa

 

Eu...R

 

Tvj= 150°C, VR=1600V

 

2

 

mA

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Por diodo/ Cada um

 

0.28

 

K/W

 

Rectificador de tiristores / 晶?? 管,整流器

Valores nominais máximos / máximo额定值

 

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

Pressão elétrica de pico inverso repetido

Pico repetitivo tensão inversa

 

VRRM

 

Tvj=25°C

 

1600

 

V

 

Máximo corrente elétrica vertical(Cada chip)

Número máximo Corrente RMS para a frente por chip

 

IFRMSM

 

TC=80°C

 

150

 

 

A

 

máximo inteiro de fluxo de saída

Número máximo Corrente RMS a rectificador produção

 

IRMSM

 

TC=80°C

 

180

 

A

 

Corrente de corrente

Corrente para a frente

 

 

IFSM

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C

tp= 10 ms, Tvj=130°C

 

1800

 

1450

 

A

A

 

I2t -

Valor I2t

 

 

I2t

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C

tp= 10 ms, Tvj=130°C

 

16200

 

10510

 

A2s

A2s

 

Taxa de elevação da linha de transmissão

Critico Taxade aumento de em estado corrente

 

(di/dt) cr

 

TVj = 130°C

 

100

 

 

A/μs

 

Taxa de elevação do limite de pressão

Critico Taxa de aumento da tensão em estado de funcionamento

 

(di/dt) cr

 

TVj = 130°C, VD=2/3VDRM

 

1000

 

V/μs

 

Valores característicos/ 特征值

       

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha. Tipo Max.

 

Unidades

 

Pressão elétrica

Voltagem para a frente

 

 

VTM

 

TVj = 130 °C, Eu...T = 110 A

 

1.30

 

 

V

 

Pressão elétrica

Tensão de limiar

 

V ((TO)

 

Tvj=130°C

 

0.90

 

V

 

斜率 resistência elétrica

Ponto de inclinação resistência

 

rT

 

 

Tvj=130°C

 

 

3.20

 

 

门极触发电流 (também conhecido como 门极触发电流)

Ativador de porta corrente

 

 

TIG

 

 

TVj= 25°C, VD= 12 V, RL=30Ω

 

100

 

mA

 

门极 desencadear pressão elétrica

Voltagem do gatilho

 

 

VGT

 

TVj= 25°C, VD=6V

 

2.00

 

 

V

 

门极不触发电流 (também conhecido como 门极)

Portão Corrente não desencadeante

 

IGD

 

TVj= 130°C, VD=6V

 

TVj= 130°C, VD=0,5 VDRM

 

6.0

3.0

 

mA

mA

 

门极不触发 eléctrico

Portão Voltagem não desencadeante

 

VGD

 

TVj= 130°C, VD= VDRM

 

0.25

 

V

 

维持电流 (continuação do corrente elétrico)

 

Empresa corrente

 

 

IH

 

 

TVj= 25°C, Eu...T=1A

 

250

 

mA

 

擎住电流 (também conhecido como 擎住电流)

 

Embraiagem corrente

 

II

 

TVj= 25°C, Eu...G=1,2IGT

 

300

 

mA

 

门极 controlo de atraso de tempo

Portão tempo de atraso controlado

 

tgd

 

DIN CEI 747-6

TVj= 25°C, IGM= 0,6A, DiG/dt=0,6A/μs

 

1.2

 

μs

 

换流关断时间 (tradução livre)

Circuito Tempo de desligamento comutado

 

Tq

 

TVj = 130°C, ITM = 50 A

VRM = 100 V, VDM= 2/3 VDRM

dVD- Não. = 20 V/μs, - Não.T- Não. = 10 A/μs

 

 

150

 

 

μs

 

Corrente elétrica inversa

 

Corrente inversa

 

IR

Identificação

 

TVj= 125°C, VR=1600V

 

20

 

 

mA

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RthJC

 

Por tiristor Cada tubo de cristal

 

0.24

 

K/W

 

 

IGBT Elicóptero de travagem/ IGBT制动-- O quê?

Número máximo Valores nominais/ Máximo limite

 

 

 

 

连续集电极直流电流Eu...C nomeTC= 80°C, Tvj= 175°C100 A

 

Contínuo DC corrente do colectorEu...CTC= 25°C, Tvj= 175°C 140 A

 

开通延迟时间( eléctrico carga)

Ativar tempo de atraso, indutivo carga

 

Td( em) Tvj=25°C 125 μs

 

上升时间( eléctrico carga)

Hora de subir. indutivo carga

 

tr

 

Tvj=25°C

 

30

 

μs

 

关断延迟时间( eléctrico carga)

Tempo de atraso de desligação, indutivo carga

 

 

Td(desligado)

 

IC= 100A, VCE=600V

VGE = ± 15V

 

Tvj=25°C

 

300

 

μs

 

O tempo de queda.( eléctrico carga)

Tempo de outono, indutivo carga

 

Tf

 

RGon=1,5 Ω

RGoff=1,5 Ω

 

Tvj=25°C

 

165

 

μs

 

开通 损耗能量(Cada pulso)

Ativar energia perdas por pulso

 

 

Eon

 

 

Tvj=25°C

 

 

2.4

 

 

MJ

 

关断损耗能量 (perda de energia)(Cada pulso)

Energia de desligamento perdas por pulso

 

Eof

 

Tvj=25°C

 

7.5

 

MJ

 

A

 

 

K/W

 

短路数据

SC dados

 

CSI

 

VGE≤ 15V, VCC=800V

VCEmax=VCES- Eu...SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj=150°C

 

360

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RthJC

 

Per IGBT / Cada um. IGBT

 

0.25

 

Diodo, SustãoKe-Chopper/ 

Número máximo Valores nominais/

 

Fluxo eléctrico de pico de recuperação inverso

 

Pico para trás recuperação cRenda

 

Eu...RMTvj= 150°C50 A

 

Tempo de recuperação inverso

Para trás Tempo de recuperação

 

TRR

 

Eu...F=50A

DiF- Não.desligado=1300A/μs

 

Tvj= 150°C

 

380

 

n

 

恢复电荷

Para trás recuperação charge

 

Qr

 

VR = 600 V

VGE= 15V

 

Tvj= 150°C

 

8

 

 

μC

 

Perda de recuperação inversa (por pulso)

Para trás recuperação energia (por pulso)

 

ERec

 

Tvj= 150°C

 

3.5

 

MJ

 

 

0.70K/W

 

结-外 热阻

Termal resistência, juação Caso

 

RTJC

 

Por diodo/ Cada um

 

 

 

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2 1

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Valor

 

Unidades

 

绝缘 试电压

Isolamentotensão de ensaio

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Material de módulo placa de base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Eu...CE 61140)

Fundamentos isolamento (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

DesagradávelTâncio

 

 

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

 

10.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorização

 

 

端子-散热片/ terminal to aquecedores

端子-端子/terminal para terminal

 

7.5

 

mm

 

Índice de marcas eléctricas

Comparative rastreamento índice

 

 

CTI

 

 

 

> 200


 

 

 

Ponto

 

Símbolo

 

Condições

 

Minha.

 

Tipo.

 

Max. - O quê?

 

Unidades

 

杂散电感, módulo

Desviado indutividade módulo

 

LSCE

   

 

50

 

 

nH

 

Máxima temperatura

Junção máximan temperatura

 

TVj (max)

 

逆变器, 制动 (em inglês)-- O quê?/ inversor, Máquina de cortar travões整流器/rectificador

   

 

175

 

125

 

°C

°C

 

No estado desligado

Temperatura eMudança Condições

 

Tvj(op)

 

逆变器, 制动 (em inglês)-- O quê?/ inversor, Máquina de cortar travões整流器/rectificador

 

- 40

 

- 40

 

 

150

 

125

 

°C

°C

 

temperatura de armazenamento

 

Temperatura de armazenagemPeraturação

 

TSgt.

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torque de montagemque para módulo Instalação

 

M

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

180

 

 

g

 

 

IGBT

Característica de saída IGBT, Brake-Chopper ((típico) IC=f(VCE) Característica para a frente do Diodo, Brake-Chopper ((típico)

VGE=15V IF=f(VF)

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2 2

 

Característica da direcção do diodo, rectificador (típica)

IF=f ((VF)

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2 3

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2 4

 

 

"1600V 180A + IGBT" provavelmente se refere a um dispositivo IGBT (Transistor Bipolar de Portão Isolado) com uma tensão nominal de 1600 volts e uma corrente nominal de 180 amperes.Aqui está uma explicação desta descrição:
 
1. Tensão nominal (1600V): indica a tensão máxima que o IGBT pode suportar,e uma potência nominal de 1600 volts sugere que o dispositivo é adequado para aplicações que exigem a manipulação de níveis de tensão mais elevados, tais como inversores de alta tensão ou outras aplicações de alimentação de alta tensão.
 
2. Corrente nominal (180A): Esta representa a corrente máxima que o IGBT pode lidar, e uma classificação de 180 amperes especifica o nível de corrente que o dispositivo é capaz de conduzir.Isto é relevante para aplicações que exigem a manipulação de níveis de potência elevados.
 
3. IGBT: Transistor Bipolar de Portão Isolado é um dispositivo semicondutor comumente usado em aplicações de eletrônica de potência, como inversores, motores e fontes de alimentação,para comutação e amplificação de sinais elétricos.
 
Este dispositivo pode ser utilizado em aplicações de alta potência e alta tensão, onde é necessário um controlo preciso da corrente e da tensão.consideração cuidadosa de medidas de gestão térmica adequadas e circuitos de acionamento de portão é essencial para garantir a sua confiabilidade e desempenhoAs especificações técnicas específicas e as directrizes de aplicação podem ser consultadas na ficha de dados do fabricante.
 

Circuito Diagrama Título 

 

 

1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2 5

 

 

 

 

 

Pacote Esboços 

 

 


1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2 6