Destacar:
Perdas de comutação baixas Infineon Discreto IGBT
, Modulo de transistores IGBT OEM
, Modulo de transistor IGBT de baixas perdas de comutação
Capacidade do colector emissor: |
170 pF |
Configuração: |
Solteiro |
Colector de corrente contínuo: |
50 A |
Colector de corrente pulsado: |
200 A |
Carga da porta: |
80 nC |
Estilo de montagem: |
Através do Buraco |
Intervalo de temperatura de funcionamento: |
- 55 a 150 graus Celsius |
Tipo de embalagem: |
TO-247 |
Pacote/caso: |
TO-247-3 |
Tempo de recuperação reversa: |
50 ns |
Polaridade do transistor: |
N-canal |
Distribuição do emissor do colector de tensão: |
1200 V |
Max. saturação do colector de tensão do emissor: |
2,2 V |
Limites máximos dos emissores da porta de tensão: |
5 V |
Nome do produto: |
Modulo de transistores igbt, módulo sic igbt, transistores igbt |
Baixas perdas de comutação Infineon Discreto IGBT Transistor Modulo OEM
A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de utilização do sistema de controlo de emissões de gases de efeito estufa deve ser fixada no valor normal.0
1200 V 40A IGBT Discreto
1200 V 40 A IGBT
- Geral Descrição
SOLIDPOWER IGBT Discrete fornece baixas perdas de comutação, bem como alta capacidade RBSOA. Eles são projetados para aplicações como UPS industrial, carregador, armazenamento de energia,Inversor de corrente solar de três níveis, solda, etc.
Características:
▪ Tecnologia de parada de campo de trincheira de 1200 V
▪ Diodos de freewheeling do tipo SiC SBD
▪ Baixa perda de mudança
▪ Baixa taxa de entrada
Tipico Aplicações:
▪ UPS industriais
▪ Carregador
▪ Armazenamento de energia
▪ Inversor
▪ Soldadura
IGBT IGBT
Característica de saída IGBT Característica de saída IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
Característica de saída FRD Voltagem de saturação colector-emissor IGBT
IF=f(VF) VCE(sat)=f (Tj)
FRD IGBT
Voltagem de saturação do colector-emissor FRD Voltagem limite do portão-emissor IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
FRD IGBT
Característica de saída do colector de corrente FRD IGBT
IF=f ((VF) IC=f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Características da carga da porta Características da capacidade
VGE ((th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE = 15V, IC = 40A
IGBT IGBT
Tempo de comutação IGBT Tempo de comutação IGBT
ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C
IGBT IGBT
Tempo de comutação IGBT Tempo de comutação IGBT
ts=f (RG), Tvj=25°C ts=f (RG), Tvj=175°C
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A
IGBT IGBT
Tempo de comutação IGBT Perdas de comutação IGBT
ts=f (Tj) E=f (Tj)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
Perdas de mudança IGBT Perdas de mudança IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Perdas de mudança IGBT Perdas de mudança IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Perdas de mudança IGBT Perdas de mudança IGBT
E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C
VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT
Impedância térmica transitória IGBT
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
Trata-se de um transistor bipolar isolado discreto (IGBT) com uma tensão nominal de 1200V e uma corrente nominal de 40A.IGBTs são comumente usados em aplicações eletrônicas de potência para alternar altas tensões e correntesAs especificações indicam que este IGBT em particular pode suportar uma tensão máxima de 1200V e uma corrente máxima de 40A.Os circuitos de acionamento adequados e as considerações de dissipação de calor são importantes para garantir a confiabilidade e o desempenho do IGBT.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços
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