A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho uma proposta de decisão relativa à aplicação da presente diretiva.0

1500V 3A Discreto MOS N-Channel

1500 V 3A MOSFET 

Características:

• Troca rápida
• Resistência ON baixa
• Baixa carga da porta Minimizar a perda de comutação
• Diodo de corpo de recuperação rápida

Tipico Aplicações:

• Adaptador
• Carregador
• Força de espera SMPS

Fonte de drenagem normalizada sobre a resistência

RDSon ((P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C

IDS=1,3A VGS=10V VGS=10V

MOSFET

Característica para a frente da característica de carga do MOSFET da porta de diodo

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C

MOSFET

Característica de capacidade MOSFET Dissipação máxima de potência

C=f(VDS) PD=f(TC

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

Área de operação segura com corrente de drenagem máxima para a frente (FBSOA)

ID=f ((TC)

MOSFET

MOSFET de impedância térmica transitória

ZthJC=f (t)

Trata-se de um transistor discreto de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor de canal N (MOSFET) com uma tensão nominal de 1500V e uma corrente nominal de 3A.Os MOSFETs de canal N são dispositivos semicondutores comumente usados em várias aplicações eletrônicasO 1500V indica a tensão máxima que o dispositivo pode lidar, enquanto o 3A representa a corrente máxima que pode acomodar.Em aplicações específicas, devem ser considerados circuitos de acionamento e dissipação de calor adequados para garantir a fiabilidade e o desempenho do MOSFET.