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750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM

Name: 750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM
Brand: 750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM
SKU: SPS820F08HDM4
Rating: 4.8 (102 reviews)

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Número do modelo: SPS820F08HDM4

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Certificações:	CE, FCC, RoHS	Cores:	Negro
Compatibilidade:	Compatível com a maioria dos veículos modernos	Conectividade:	Com fio
Dimensões:	Varia em função do módulo específico	Função:	Controle e monitorização de vários sistemas num veículo
Materiais:	Plástico e Metal	Temperatura de funcionamento:	-40°C a 85°C
Tensão de funcionamento:	12 V	Tipo:	Eletrônica
Garantia:	1 ano	Peso:	Varia em função do módulo específico

Certificações:	CE, FCC, RoHS
Cores:	Negro
Compatibilidade:	Compatível com a maioria dos veículos modernos
Conectividade:	Com fio
Dimensões:	Varia em função do módulo específico
Função:	Controle e monitorização de vários sistemas num veículo
Materiais:	Plástico e Metal
Temperatura de funcionamento:	-40°C a 85°C
Tensão de funcionamento:	12 V
Tipo:	Eletrônica
Garantia:	1 ano
Peso:	Varia em função do módulo específico

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM

A partir de 1 de janeiro de 2014, a taxa de utilização do sistema de controlo de emissões de gases de efeito estufa deve ser fixada no valor normal.

750 V 820A IGBT Cheio Ponte Modulo

750 V 820A IGBT

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 0

Características:

D Tecnologia de travessia de 750 V + Field Stop

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

□ Circuito curto e resistência

Tipico Aplicações:

□ Acionamento de motores

□ Veículos elétricos híbridos

□ Aplicações automotivas

D Veículos agrícolas comerciais

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 0 Hz, t = 1 s		4.2			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		9.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		9.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		4.5			mm
	Desaparecido	terminal para terminal		4.5
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 200

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				10		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.75		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M4	placa base para o dissipador de calor		1.8		2.2	Nm
	M3	PCB para quadro		0.45		0.55	Nm
Peso	G				725		g

IGBT

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	750	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente do colector aplicada	ICN			820	A
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			1640	A
Dissipação de energia	Ptot		T_F= 75°C	769	W

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C= 450 A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.20	1.40	V
			T_vj= 125°C		1.24
			T_vj= 150°C		1.27
		Eu..._C= 820A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.40	1.60
			T_vj= 125°C		1.55
			T_vj= 150°C		1.60
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C= 9,6 mA		5.1	5.8	6.5	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE= 750 V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE= 750 V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 400 V, I_C= 450 A, V_GE=-8/+15V			1.6		μC
Resistência interna da porta	RGint				0.8		Ó
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			42.4		nF
Capacidade de saída	Coes				3.1
Capacidade de transferência reversa	Cres				0.8
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 400 V,I_C= 450 A R_Gon= 2,5Ω, V_GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		90		n
			T_vj= 125°C		92		n
			T_vj= 150°C		96		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		64		n
			T_vj= 125°C		68		n
			T_vj= 150°C		70		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 400 V,I_C= 450 A R_Goff.= 5,1Ω, V_GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		520		n
			T_vj= 125°C		580		n
			T_vj= 150°C		590		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		200		n
			T_vj= 125°C		310		n
			T_vj= 150°C		320		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 400 V,I_C= 450 A R_G= 2,5Ω,R_Goff.= 5,1Ω V_GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		15.0		MJ
			T_vj= 125°C		18.0		MJ
			T_vj= 150°C		20.0		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		33.5		MJ
			T_vj= 125°C		41.0		MJ
			T_vj= 150°C		43.0		MJ

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 400 V	tp≤3μs T_vj= 150°C			5400	A
Resistência térmica IGBT, fluido de arrefecimento por junção	RthJF					0.13	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

Diodo

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	750	V
Corrente para a frente implementada	ICN			820	A
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			1640	A

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 450 A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.20	1.60	V
			T_vj= 125°C		1.16
			T_vj= 150°C		1.14
		Eu..._F= 820A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.42	1.80
			T_vj= 125°C		1.43
			T_vj= 150°C		1.44
Tempo de recuperação inverso	trr	Eu..._F= 450A DI_F/dt=-6700A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 400 V, V_GE= 8V	T_vj= 25°C		122		n
			T_vj= 125°C		160
			T_vj= 150°C		172
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		T_vj= 25°C		295		A
			T_vj= 125°C		360
			T_vj= 150°C		375
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		28.5		μC
			T_vj= 125°C		40.5
			T_vj= 150°C		43.5
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		6.2		MJ
			T_vj= 125°C		11.7
			T_vj= 150°C		13.2
Resistência térmica do diodo, fluido de arrefecimento de junção	RthJFD					0.25	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		175	°C

NTC-Termistor

Características Valores

Ponto

Símbolo

Condições

Valores

Unidade

Resistência nominal

R25

T_C= 25°C

5.00

kΩ

Valor B

R25/50

3375

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 5

IGBT

Transferência Perdas de comutação IGBT (típica)

Eu..._C= f (V)_GE) V_CE= 20V E = f (R_G)

V_GE= -8/+15 V, I_C= 450 A, V_CE= 400V

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 6

IGBT(RBSOA)

Perdas de comutação IGBT (típico) Reverso preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= -8/+15V, R_Gon= 2,5Ω,R_Goff.= 5.1Ω, V_CE= 400 V V_GE= -8/+15V, R_{- O quê?}= 5.1Ω, T_vj= 150°C

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 7

Tipico Capacidade como um função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 450 A, V_CE= 400V

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 8

IGBT

IGBT transiente térmico Impedância para a frente Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 9

Perdas de comutação Diodo (típico) Perdas de comutação Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 450 A, V_CE= 400 V R_G= 2,5Ω, V_CE= 400V

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 10

Diodo térmico transitório Impedância NTC-Termistor-temperatura Característica (típico)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

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Um módulo IGBT em um inversor é um conjunto compacto contendo Transistores Bipolares de Portão Isolado (IGBTs) e outros componentes.IGBTs desempenham um papel crucial na comutação e conversão de corrente contínua (DC) para corrente alternada (AC) em dispositivos como acionamentos de motoresO módulo simplifica a integração e um arrefecimento adequado é essencial para a eficiência e a fiabilidade.

Circuito Diagrama Título

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 12

Pacote Esboços

750V 820A módulos de energia automotiva módulo IGBT Full Bridge eletrônico OEM 14

Dimensões em mm

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