Destacar:
Modulos IGBT de 1200V 15A EasyPIM
, 1200V 15A IGBT PIM
, PIM IGBT personalizado
Corrente de coletor: |
100A |
Tensão do emissor do coletor: |
1200 V |
Corrente: |
100A |
Carga do emissor da porta: |
120nC |
Resistência do emissor da porta: |
1.5Ω |
Tensão do emissor da porta: |
± 20V |
Peso do módulo: |
200G |
Temperatura de funcionamento: |
-40°C a +150°C |
Tipo de embalagem: |
EasyPIM |
Tempo de recuperação reversa: |
50ns |
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo: |
10 μs |
Frequência de comutação: |
20 KHZ |
Resistência térmica: |
0.1°C/W |
Voltagem: |
1200 V |
Nome do produto: |
Modulo IGBT de condutor, módulo IGBT de transistor, módulo Igbt único |
Modulos IGBT de 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003
A partir de 1 de janeiro de 2014, a Comissão deve apresentar ao Parlamento Europeu e ao Conselho uma proposta de decisão relativa à aplicação da presente diretiva.
1200 V 15A IGBT PIM Modulo
1200 V 15A IGBT PIM
Características:
D Tecnologia de travagem de 1200 V
□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
□ VCE (sat)com coeficiente de temperatura positivo
□ Baixas perdas de mudança
□ Circuito curto e resistência
□ Servocondutores
□ Conversores
□ Inversores
Pacote
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Tensão de ensaio de isolamento
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
2.5
|
kV
|
|
Isolamento interno
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)
|
Al2O3
|
|
|
Distância de arrasto
|
- Esquece. |
Terminal para o dissipador de calor |
11.5 |
mm
|
| - Esquece. |
terminal para terminal |
6.3 |
|
Autorização
|
Desaparecido |
Terminal para o dissipador de calor |
10.0 |
mm
|
| Desaparecido |
terminal para terminal |
5.0 |
|
Índice de acompanhamento comparativo
|
CTI |
|
> 200
|
|
| |
|
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Módulo de indutividade desviada
|
LsCE |
|
|
30
|
|
nH
|
|
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
8.00 |
|
mΩ
|
| RAA+CC |
6.00 |
|
Temperatura de armazenamento
|
Tstg |
|
- 40
|
|
125
|
°C
|
|
Força de montagem por pinça
|
F |
|
20
|
|
50
|
N
|
|
Peso
|
G |
|
|
23
|
|
g
|
IGBT,/ IGBT, inversor
Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem do colector-emissor
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Voltagem máxima do emissor da porta
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Voltagem transitória do portão-emissor
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Corrente contínua do colector de CC
|
Eu...C |
|
TC= 25°C |
20 |
A
|
| TC= 80°C |
15 |
|
Corrente pulsada do colector,tp limitada por Tjmax
|
ICimpulso |
|
30
|
A
|
|
Dissipação de energia
|
Ptot |
|
130
|
W
|
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem de saturação do colector-emissor
|
VCE (sat) |
Eu...C=15A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.46 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.54 |
|
|
Tensão de limiar de entrada
|
VGE (th) |
VCE=VGEEu...C= 0,48 mA |
5.1
|
5.7
|
6.3
|
V
|
|
Corrente de corte colector-emissor
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Corrente de fuga do emissor da porta
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- 100
|
|
100
|
nA
|
|
Taxa de entrada
|
QG |
VCE= 600 V, IC= 15A, VGE=±15V |
|
0.1 |
|
μC |
|
Capacidade de entrada
|
- Não. |
VCE= 25V, VGE=0V, f =1MHz |
|
0.9 |
|
nF
|
|
Capacidade de transferência reversa
|
Cres |
|
0.04 |
|
|
Resistência interna da porta
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
0 |
|
Ó |
|
Tempo de atraso de activação, carga indutiva
|
Td (em) |
VCC= 600 V,IC=15A RG= 40Ω VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
46 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
42 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
44 |
|
n |
|
Tempo de ascensão, carga indutiva
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
38 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
41 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
39 |
|
n |
|
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva
|
td (desligado) |
VCC= 600 V,IC=15A RG= 40Ω VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
215 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
249 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
259 |
|
n |
|
Tempo de queda, carga indutiva
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
196 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
221 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
203 |
|
n |
|
Perda de energia de ligação por pulso
|
Eon |
VCC= 600 V,IC=15A RG= 40Ω VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
1.57 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
2.12 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
2.25 |
|
MJ |
|
Desligue Perda de energia por pulso
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
0.89 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.07 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.16 |
|
MJ |
|
Dados do SC
|
CSI |
VGE≤ 15V, VCC= 800V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
70
|
|
A
|
|
Resistência térmica IGBT, caixa de junção
|
RthJC |
|
|
|
1.15 |
K / W |
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Diodo, inversor
Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem reversa repetitiva
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Corrente contínua de corrente contínua
|
Eu...F |
|
15
|
A
|
|
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por TJmax
|
IFpulse |
|
30
|
|
Eu...2Valor t
|
Eu...2t |
tp=10 ms |
Tvj= 125°C |
136
|
A2s |
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem para a frente
|
VF |
Eu...F= 15A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.60 |
2.10 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.75 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.78 |
|
|
Corrente de recuperação inversa máxima
|
IRRM |
Eu...F=15A
DIF/dt=-250A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGE= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
13 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
15 |
| Tvj= 150°C |
17 |
|
Taxa de recuperação inversa
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
1.87 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
3.33 |
| Tvj= 150°C |
3.82 |
|
Perda de energia de recuperação inversa por pulso
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
0.70 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
1.28 |
| Tvj= 150°C |
1.45 |
|
Diodo de resistência térmica, caixa de junção
|
RthJCD |
|
|
|
1.90
|
K / W
|
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C
|
Diodo, rectificador
Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem reversa repetitiva
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1600
|
V
|
| Corrente RMS máxima para a frente por chip |
IFRMSM |
|
TC= 80°C |
16
|
A
|
|
Corrente máxima RMS na saída do retificador
|
IRMSM |
|
TC= 80°C |
16
|
|
Corrente para a frente
|
IFSM |
tp= 10 ms |
Tvj= 25°C |
190
|
|
I2t - valor
|
Eu...2t |
tp= 10 ms |
Tvj= 25°C |
181
|
A2s |
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem para a frente
|
VF |
Eu...F=15A |
Tvj= 25°C |
|
0.95
|
|
V
|
|
Corrente inversa
|
Eu...R |
VR=1600V |
Tvj= 25°C |
|
|
5
|
μA
|
|
Diodo de resistência térmica, caixa de junção
|
RthJCD |
|
|
|
1.50
|
K / W
|
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C
|
IGBT, Brake-Chopper/IGBT
Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem do colector-emissor
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Voltagem máxima do emissor da porta
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Voltagem transitória do portão-emissor
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Corrente contínua do colector de CC
|
Eu...C |
|
TC= 80°C |
15
|
A
|
|
Corrente pulsada do colector,tp limitada por Tjmax
|
ICimpulso |
|
30
|
A
|
|
Dissipação de energia
|
Ptot |
|
130
|
W
|
IGBT, Brake-Chopper/IGBT
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem de saturação do colector-emissor
|
VCE (sat) |
Eu...C=15A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
2.08 |
2.50 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.37 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.45 |
|
|
Tensão de limiar de entrada
|
VGE (th) |
VCE=VGEEu...C= 0,48 mA |
5.1
|
5.7
|
6.3
|
V
|
|
Corrente de corte colector-emissor
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Corrente de fuga do emissor da porta
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- 100
|
|
100
|
nA
|
|
Taxa de entrada
|
QG |
VCE= 600 V, IC= 15A, VGE=±15V |
|
0.1 |
|
μC |
|
Capacidade de entrada
|
- Não. |
VCE= 25V, VGE=0V, f =1MHz |
|
0.86 |
|
nF
|
|
Capacidade de transferência reversa
|
Cres |
|
0.02 |
|
|
Resistência interna da porta
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
0 |
|
Ó |
|
Tempo de atraso de activação, carga indutiva
|
Td (em) |
VCC= 600 V,IC=15A RG= 40Ω VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
51 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
47 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
40 |
|
n |
|
Tempo de ascensão, carga indutiva
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
44 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
48 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
56 |
|
n |
|
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva
|
td (desligado) |
VCC= 600 V,IC=15A RG= 40Ω VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
254 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
262 |
|
n |
|
Tempo de queda, carga indutiva
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
194 |
|
n |
| Tvj= 125°C |
|
213 |
|
n |
| Tvj= 150°C |
|
219 |
|
n |
|
Perda de energia de ligação por pulso
|
Eon |
VCC= 600 V,IC=15A RG= 40Ω VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
0.92 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.21 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.31 |
|
MJ |
|
Desligue Perda de energia por pulso
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
0.88 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.11 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.15 |
|
MJ |
|
Resistência térmica IGBT, caixa de junção
|
RthJC |
|
|
|
1.15 |
K / W |
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Diodo, chopper de travões.
Número máximo Classificados Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Voltagem reversa repetitiva
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Corrente contínua de corrente contínua
|
Eu...F |
|
8
|
A
|
|
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por TJmax
|
IFpulse |
|
16
|
|
Eu...2Valor t
|
Eu...2t |
tp=10 ms |
Tvj= 125°C |
25
|
A2s |
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
| Minha. |
Tipo. |
Max. - O quê? |
|
Voltagem para a frente
|
VF |
Eu...F= 8A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.88 |
2.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.96 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.90 |
|
|
Corrente de recuperação inversa máxima
|
IRRM |
Eu...F=8A
DIF/dt=-200A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGE= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
6 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
7 |
| Tvj= 150°C |
8 |
|
Taxa de recuperação inversa
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
0.68 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
1.22 |
| Tvj= 150°C |
1.32 |
|
Perda de energia de recuperação inversa por pulso
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
0.27 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
0.49 |
| Tvj= 150°C |
0.53 |
|
Diodo de resistência térmica, caixa de junção
|
RthJCD |
|
|
|
1.90
|
K/W
|
|
Temperatura de funcionamento
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C
|
NTC-Termistor
Características Valores
| Ponto |
Símbolo |
Condições |
Valores |
Unidade |
|
Resistência nominal
|
R25 |
|
TC= 25°C |
5.00
|
kΩ
|
|
Valor B
|
R25/50 |
|
3375
|
K
|
IGBT IGBT
Produção Característica IGBT, Inverter (típico) Característica IGBT, inversor (típico)
Eu...C= f (V)CE) IC= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT IGBT
Transferência Característica IGBT, Inverter (típico) Comutação perdas IGBT, inversor (típico)
Eu...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20 V VGE= ±15V, IC= 15A, VCE= 600V
IGBT IGBTNão, não.RBSOA)
Mudança perdas IGBT, inversor(Típico) Atrás preconceito seguro operação Área IGBT, Inverter ((RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 40Ω, VCE= 600 V VGE= ±15V, RGoff.= 40Ω, Tvj= 150°C
IGBT
Transiente térmico Impedância IGBT, inversor para a frente Característica de Diodo, inversor (típico)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Mudança perdas Diodo, inversor (típico) Comutação perdas Diodo, inversor (típico)
ERec= f (RG) ERec= f (IF)
Eu...F= 15A, VCE= 600V RG= 40Ω, VCE= 600V
Transiente térmico Impedância Diodo, inversor para a frente Característica de Diodo, rectificador (típico)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
IGBT
Produção Característica, Brake-Chopper ((típica) Para a frente Característica de Diodo, chopper de travões. (típico)
Eu...C= f (V)CE) IF= f (V)F)
NTC-Termistor-temperatura Característica (típico)
R = f (T)
"IGBT 15A 1200V" refere-se a um transistor bipolar de porta isolada com uma corrente nominal de 15 amperes e uma tensão nominal de 1200 volts.Este tipo de IGBT é adequado para aplicações com requisitos de energia moderados, tais como aparelhos domésticos, pequenos motores motrizes e inversores de baixa potência.e especificações técnicas específicas e orientações de utilização podem ser encontradas na ficha de dados do fabricante com base nos requisitos específicos da aplicação.
Circuito Diagrama Título
Pacote Esboços
Dimensões em mm
mm
Por favor verifique seu email!
